[发明专利]修调熔丝读取电路在审
申请号: | 202011508363.8 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN114647272A | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 王欢;于翔;谢程益 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26;G01R31/74 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 修调熔丝 读取 电路 | ||
本发明公开了一种修调熔丝读取电路,包括:修调熔丝状态读取单元,包括第一支路和第二支路,第一支路通过第一电阻与电源端连接,第二支路通过修调熔丝与电源端连接,修调熔丝状态读取单元还接收熔丝读取信号,用于在熔丝读取信号有效时基于第一电阻判断修调熔丝的熔断状态;偏置电流产生单元,用于向修调熔丝状态读取单元提供偏置电流。该修调熔丝读取电路能够确保在修调熔丝未完全熔断的状态下也能够进行正常的读取,且修调熔丝的熔断状态的读取受电源电压的影响较小。
技术领域
本发明涉及芯片修调技术领域,具体涉及一种修调熔丝读取电路。
背景技术
随着集成电路高性能指标的要求越来越高,芯片设计面临高精度的要求日趋明显,尤其是针对高速高精度的数模转换器,模数转换器,高精度的基准源电路等设计,由于工艺误差等无法避免的因素,工艺厂生产出的芯片的电容和电阻值都有一定的工艺误差,这些误差会直接影响电路的性能甚至功能。为了解决这类工艺误差问题,在芯片正常使用之前,需要利用修调技术来修正,使电路参数更精确、一致性更好。
熔丝烧断修调通常为利用电压源(或电流源)将熔丝烧断,改变熔丝阻值达到修调的目的。之后在芯片上电时检测熔丝阻值判断熔丝是否烧断,进而将芯片参数设置在规定的范围内。
现有的在芯片上电时判断修调熔丝是否烧断的读取电路如图1所示,其中,Read为熔丝读取信号,通常为高脉冲时有效。芯片上电时,熔丝读取信号Read产生一个高脉冲。如果修调熔丝Fuse没有被烧断,则修调熔丝Fuse阻值很小,此时反相器U0的输入端A点电压几乎为VDD,输出端OUT输出一直保持为低电平。当修调熔丝Fuse被烧断后,其阻值非常大,当熔丝读取信号Read的高脉冲来临时,A点电压瞬时为低电平,反相器U0的输出端OUT输出一个高脉冲,芯片锁存该高脉冲,从而判断熔丝被烧断。
但随着工艺更新,修调熔丝Fuse烧断时,往往不会完全熔断,而未完全熔断的修调熔丝Fuse的阻值在几kΩ~几百kΩ量级。上述电路中如果NMOS管M0的驱动能力较小,可能存在误判为修调熔丝Fuse没烧断;而如果NMOS管M0的驱动能力很大,过大的电流可能对电源VDD造成影响,将电源VDD拉低。此外,修调熔丝Fuse的读取受电源VDD的电压影响较大。
因此,有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种修调熔丝读取电路,可以基于修调熔丝的阻值相对于固定阻值的大小变化情况来进行熔断状态的读取,确保了在修调熔丝未完全熔断的状态下也能够进行正常的读取,且修调熔丝的熔断状态的读取受电源电压的影响较小。
根据本公开提供的一种修调熔丝读取电路,包括:修调熔丝状态读取单元,包括第一支路和第二支路,所述第一支路通过第一电阻与电源端连接,所述第二支路通过修调熔丝与电源端连接,所述修调熔丝状态读取单元还接收熔丝读取信号,用于在所述熔丝读取信号有效时基于所述第一电阻判断所述修调熔丝的熔断状态;
偏置电流产生单元,与所述修调熔丝状态读取单元连接,用于向所述修调熔丝状态读取单元提供偏置电流。
可选地,所述第一电阻的阻值大于所述修调熔丝未熔断时的阻值,且所述第一电阻的阻值小于所述修调熔丝未完全熔断时的阻值。
可选地,所述偏置电流小于预设阈值。
可选地,所述修调熔丝状态读取单元包括:
第一晶体管,位于所述第一支路上,源极与所述第一电阻连接;
第二晶体管,位于所述第二支路上,源极与所述修调熔丝连接;
第一反相器,输入端与所述第二晶体管的漏极连接,输出端输出表征所述修调熔丝的熔断状态的状态信号,
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