[发明专利]一种用于存储芯片的写入深度测试系统及其方法

权利要求书

1.一种用于存储芯片的写入深度测试系统，其特征在于，包括：

主控芯片，生成测试数字信号；

调压电路，输入端与所述主控芯片的第一输出端连接，其第一输出端与一电平转换芯片的第一输入端连接，其第二输出端与待测的存储芯片的第一输入端连接，根据所述测试数字信号，分别为所述电平转换芯片和所述存储芯片提供第一电压和第二电压；

所述电平转换芯片的第二输入端与所述主控芯片的第二输出端连接，其第一输出端与所述存储芯片的第二输入端连接，根据所述第一电压，对所述测试数字信号进行电平转换，获得处理后的测试数字信号，且与所述第二电压共同施加在所述存储芯片上；

数字模拟转换器，输入端与所述主控芯片的第三输出端连接，其输出端与所述存储芯片的第三输入端连接，对所述测试数字信号进行数模转换，获得测试模拟信号；

所述电平转换芯片的第三输入端与所述存储芯片的输出端连接，对所述测试模拟信号、所述第二电压和所述处理后的测试数字信号的共同施加作用下的所述存储芯片进行测试，获得测试数据，完成存储芯片的写入深度测试。

2.如权利要求1所述的用于存储芯片的写入深度测试系统，其特征在于，该写入深度测试系统还包括上位机，输出端与主控芯片的第一输入端连接，用于测试人员人为输入写入深度测试的测试指令信息，并传输至主控芯片生成所述测试数字信号。

3.如权利要求2所述的用于存储芯片的写入深度测试系统，其特征在于，所述电平转换芯片的第二输出端通过所述主控芯片与所述上位机的输入端连接，用于将所述测试数据通过所述主控芯片实时传输回所述上位机，供测试人员实时读取。

4.如权利要求1所述的用于存储芯片的写入深度测试系统，其特征在于，所述第三电压为不同电压范围的可变电压。

5.如权利要求1所述的用于存储芯片的写入深度测试系统，其特征在于，该写入深度测试系统的尺寸为15cm×10cm。

6.一种用于存储芯片的写入深度测试方法，其特征在于，该写入深度测试方法是基于权利要求1-5项中任意一项所述的用于存储芯片的写入深度测试系统实现的，该写入深度测试方法包括以下步骤：

步骤1：测试人员输入写入深度测试的测试指令信息，并传输至主控芯片，生成测试数字信号；将测试数字信号分为三路；

步骤2：将第一路测试数字信号传输至调压电路，所述调压电路根据所述第一路测试数字信号，分别为电平转换芯片和待测的存储芯片提供第一电压和第二电压；

步骤3：将第二路测试数字信号传输至所述电平转换芯片，所述电平转换芯片根据所述第一电压，对所述第二路测试数字信号进行电平转换，获得处理后的测试数字信号，并与所述第二电压共同施加在所述存储芯片上；

步骤4：将第三路测试数字信号传输至数字模拟转换器，进行数模转换，获得测试模拟信号；

步骤5：对所述测试模拟信号、所述第二电压和所述处理后的测试数字信号共同施加作用下的所述存储芯片进行测试，获得测试数据，完成待测的存储芯片的写入深度测试。

7.如权利要求6所述的用于存储芯片的写入深度测试方法，其特征在于，所述测试指令信息是通过上位机实时输入的。

8.如权利要求6所述的用于存储芯片的写入深度测试方法，其特征在于，所述测试数据还通过所述主控芯片实时传输回所述上位机，供测试人员实时读取。