[发明专利]发光显示装置

说明书

一种发光显示装置，包括：下基板；在下基板上的薄膜晶体管；钝化层，其设置在薄膜晶体管上；外涂层，其设置在钝化层上；发光元件，其设置在外涂层上并且包括阳极、在阳极上的发光层以及在发光层上的阴极；堤部，其设置在外涂层上并限定发光区域；在发光元件和堤部上的粘合剂层；以及氢吸收层，其设置在粘合剂层上并且包括氢吸收填料，其中，堤部的侧端设置成比粘合剂层和氢吸收层的侧端更向内，其中，粘合剂层和氢吸收层的侧端设置成比外涂层的侧端更向内。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月31日提交的韩国专利申请第10-2019-0179939号和于2020年6月23日提交的韩国专利申请第10-2020-0076718号的优先权权益，在此通过引用将其整体并入本文。

技术领域

本公开内容涉及一种发光显示装置，更特别地，涉及一种能够减少发光显示装置中的由于氢和氧中的至少一种引起的缺陷的发光显示装置。

背景技术

发光显示装置是自发光显示装置，并且与具有单独光源的液晶显示装置不同，由于其不需要单独的光源，因此可以制造为轻薄。另外，发光显示装置由于低电压驱动而在功耗方面具有优势，并且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面是优异的。因此，正在研究发光显示装置作为下一代显示装置。

这样的发光显示装置通过驱动设置在每个子像素中的发光元件来发光。此时，电连接至发光元件的一个或更多个薄膜晶体管(TFT)设置在每个子像素中，以独立地驱动每个子像素的发光元件。

发明内容

薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层。源电极和漏电极接触半导体层，并且栅电极被设置成与半导体层交叠。当将大于预定电压的栅极电压被施加至薄膜晶体管的栅电极时，在半导体层中形成沟道，使得电流在源电极与漏电极之间流动。这样，薄膜晶体管具有开关特性，并且这种开关特性可以由各种因素来确定。例如，当半导体层的材料变形时，可以改变薄膜晶体管的迁移率，并且可以改变薄膜晶体管的开关特性。

发光显示装置包括钝化层，该钝化层用于保护发光元件免受渗透到发光元件中的水分或氧气的影响。钝化层形成在光学元件上以保护发光元件。

这样的钝化层例如使用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)通过化学气相沉积(CVD)形成。在钝化层的膜形成过程中，通过化学气相沉积可以从硅烷和氨中产生少量氢。因此，在钝化层的膜形成过程中产生的氢可以扩散到钝化层中并且包括在钝化层中。包括在钝化层中的残留氢可以在发光元件内部移动。当残留氢扩散到薄膜晶体管的半导体层中并与之反应时，薄膜晶体管的特性可能会改变。因此，在钝化层的膜形成过程中产生的氢会降低发光显示装置的性能以及薄膜晶体管的性能。

为了解决如下问题：其中在形成发光显示装置的钝化层时产生的氢保留在发光显示装置中并且由于保留的氢扩散到薄膜晶体管中，薄膜晶体管的特性改变从而使发光显示装置的性能劣化，如上所述，本公开内容的发明人已经发明了能够吸收包括在钝化层中的氢的发光显示装置的新型结构及其制造方法。

因此，本公开内容提供了一种发光显示装置，该发光显示装置能够吸收保留在钝化层中的氢并且防止薄膜晶体管的性能劣化。

另外，本公开内容提供了一种发光显示装置，其具有能够去除钝化层中的氢而无需用于去除在钝化层的膜形成过程中产生的氢的附加设备的结构。

另外，本公开内容可以在不降低发光显示装置的耐用性或发光特性的情况下显著提高去除发光显示装置内部的氢的性能。

此外，本公开内容提供一种发光显示装置，其具有能够阻挡氧从其外部被注入到内部的结构。

此外，本公开内容可以解决由氢或氧产生的像素的白色或暗点的缺陷。

本公开内容不限于上述目的，并且本领域技术人员根据以下描述可以清楚地理解上述未提及的其他目的。