[发明专利]发光显示装置在审
| 申请号： | 202011504128.3 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113130561A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 金然;金高恩;徐弦兑;金恩珍;金贞娟;金镇镐;金锐熏;金景埙;李光善;申洪大 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;马骁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 显示装置 | ||
1.一种发光显示装置，包括：
下基板；
薄膜晶体管，其设置在所述下基板上；
钝化层，其设置在所述薄膜晶体管上；
外涂层，其设置在所述钝化层上；
发光元件，其设置在所述外涂层上并且包括阳极、设置在所述阳极上的发光层以及设置在所述发光层上的阴极；
堤部，其设置在所述外涂层上并限定发光区域；
粘合剂层，其设置在所述发光元件和所述堤部上；以及
氢吸收层，其设置在所述粘合剂层上并且包括氢吸收填料，
其中，所述堤部具有设置成比所述粘合剂层和所述氢吸收层的侧端更向内的侧端，并且
其中，所述粘合剂层和所述氢吸收层的侧端设置成比所述外涂层的侧端更向内。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述氢吸收层的侧端和所述粘合剂层的侧端共线设置。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述堤部的侧端设置成比所述发光区域的边界更靠近所述外涂层的侧端。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述堤部的侧端设置成比所述外涂层的侧端更靠近所述发光区域的边界。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光层覆盖所述堤部的上表面，并且
其中，所述阴极覆盖所述发光层的上表面和侧表面以及所述堤部的上表面。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光层覆盖所述堤部的上表面，以及
其中，所述阴极覆盖所述发光层的上表面和侧表面，并且覆盖所述堤部的上表面和侧表面。
7.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括覆盖所述发光元件的上表面的上保护层。
8.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述粘合剂层使所述发光元件和所述堤部平坦化。
9.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述粘合剂层与所述外涂层、所述发光元件和所述堤部接触。
10.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述氢吸收填料包括无机材料和有机材料中的至少一种，
其中，所述无机材料包括金属、包括所述金属的混合物以及包括所述金属的化合物中的一种或多种，并且所述有机材料包括基于羟基二苯甲酮的化合物、基于羟基苯基苯并三唑的化合物和基于受阻胺的化合物中的一种或更多种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
