[发明专利]厚介电层的软硬结合电路板的制作方法在审
| 申请号: | 202011496158.4 | 申请日: | 2020-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN114650669A | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
| 发明(设计)人: | 周西;何伟;彭文 | 申请(专利权)人: | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司;庆鼎精密电子(淮安)有限公司 |
| 主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 饶婕 |
| 地址: | 518105 广东省深圳市宝安区燕*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 厚介电层 软硬 结合 电路板 制作方法 | ||
1.一种厚介电层的软硬结合电路板的制作方法,其包括以下步骤:
提供一介电层,所述介电层包括相背设置的第一表面和第二表面;
在所述介电层的第二表面形成一电路基板;
自所述介电层背离所述电路基板的第一表面朝所述第二表面形成间隔设置的第一凹槽和第二凹槽,制得中间结构,其中,所述第一凹槽和所述第二凹槽未贯穿所述介电层;
提供一半固化片,一开口沿第一方向贯穿所述半固化片,其中,所述开口的宽度大于或等于所述第一凹槽背离所述第二凹槽的一侧至所述第二凹槽背离所述第一凹槽的一侧的间距;
将所述中间结构,所述半固化片以及一柔性线路基板沿所述第一方向依次层叠并压合,其中,层叠时,所述介电层的所述第一表面朝向所述半固化片,且所述介电层上的所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述半固化片上的正投影位于所述开口中;以及
对应所述第一凹槽和所述第二凹槽切割压合后的所述电路基板和所述介电层以开盖制得所述厚介电层的软硬结合电路板。
2.如权利要求1所述的厚介电层的软硬结合电路板的制作方法,其特征在于,所述介电层的厚度为200微米至3000微米,所述第一凹槽的底壁的厚度和所述第二凹槽的底壁的厚度分别为所述介电层的厚度的20%至50%,所述第一凹槽的宽度和所述第二凹槽的宽度分别为0.6毫米至1.0毫米。
3.如权利要求1所述的厚介电层的软硬结合电路板的制作方法,其特征在于,所述电路基板包括至少一线路层,每一所述线路层对应所述第一凹槽形成第一间隙,且对应所述第二凹槽形成第二间隙。
4.如权利要求3所述的厚介电层的软硬结合电路板的制作方法,其特征在于,所述第一间隙的周缘在所述介电层上的正投影位于所述第一凹槽内,所述第二间隙的周缘在所述介电层上的正投影位于所述第二凹槽内。
5.如权利要求1所述的厚介电层的软硬结合电路板的制作方法,其特征在于,所述柔性线路基板对应所述开口设有保护膜,所述保护膜的外周缘被所述半固化片覆盖,且所述保护膜的宽度大于所述开口的宽度。
6.一种厚介电层的软硬结合电路板的制作方法,其包括以下步骤:
提供一介电层,所述介电层包括相背设置的第一表面和第二表面;
自所述介电层的第一表面朝所述第二表面形成间隔设置的第一凹槽和第二凹槽,其中,所述第一凹槽和所述第二凹槽未贯穿所述介电层;
提供一半固化片,一开口沿第一方向贯穿所述半固化片,其中,所述开口的宽度大于或等于所述第一凹槽背离所述第二凹槽的一侧至所述第二凹槽背离所述第一凹槽的一侧的间距;
将一电路基板、所述介电层、所述半固化片以及一柔性线路基板沿所述第一方向依次层叠并压合,其中,层叠时,所述介电层的所述第一表面朝向所述半固化片,且所述介电层上的第一凹槽和第二凹槽在所述半固化片上的正投影位于所述开口中;以及
对应所述第一凹槽和所述第二凹槽切割压合后的所述电路基板和所述介电层以开盖制得所述厚介电层的软硬结合电路板。
7.如权利要求6所述的厚介电层的软硬结合电路板的制作方法,其特征在于,所述介电层的厚度为200微米至3000微米,所述第一凹槽的底壁的厚度和所述第二凹槽的底壁的厚度分别为所述介电层的厚度的20%至50%,所述第一凹槽的宽度和所述第二凹槽的宽度分别为0.6毫米至1.0毫米。
8.如权利要求6所述的厚介电层的软硬结合电路板的制作方法,其特征在于,所述电路基板包括至少一线路层,每一所述线路层对应所述第一凹槽形成第一间隙,且对应所述第二凹槽形成第二间隙。
9.如权利要求8所述的厚介电层的软硬结合电路板的制作方法,其特征在于,所述第一间隙的周缘在所述介电层上的正投影位于所述第一凹槽内,所述第二间隙的周缘在所述介电层上的正投影位于所述第二凹槽内。
10.如权利要求6所述的厚介电层的软硬结合电路板的制作方法,其特征在于,所述柔性线路基板对应所述开口设有保护膜,所述保护膜的外周缘被所述半固化片覆盖,且所述保护膜的宽度大于所述开口的宽度。
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