[发明专利]一种基板刻蚀方法

权利要求书

1.一种基板刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板的表面设置多层掩模结构，并在所述多层掩模结构上形成沿所述基板和所述多层掩模结构的设置方向投影对应的多个开口，其中，所述基板的表面为高铝材料层，所述多层掩模结构设置在所述高铝材料层的表面，所述多层掩模结构最下方与所述基板的表面接触的材料为不含氧的掩模层、远离所述基板表面最上方的材料为抗反射掩模层；

对所述基板与多个所述开口对应的局部表面进行第一预处理以去除所述局部表面的杂质；

采用第二气体在第一功率下对进行过所述第一预处理的所述局部表面进行第一刻蚀，以形成与多个所述开口对应的第一沟槽；

对所述第一沟槽进行第二预处理以去除所述第一沟槽底部的杂质，以防止所述第一预处理后存在未处理完全的杂质或在所述第一刻蚀中产生的高铝材料的杂质影响进一步的刻蚀；

采用所述第二气体在第二功率下对进行过所述第二预处理的所述第一沟槽的底部进行第二刻蚀，以形成预设沟槽，其中，所述第一沟槽的深度小于所述预设沟槽的深度，所述第二功率小于所述第一功率，以防止所述第二刻蚀过程中对所述预设沟槽的侧壁造成损伤。

2.根据权利要求1所述的基板刻蚀方法，其特征在于，所述在基板的表面设置多层掩模结构，并在所述多层掩模结构上形成沿所述基板和所述多层掩模结构的设置方向投影对应的多个开口包括：

在所述多层掩模结构远离所述基板的表面设置光阻层；

在所述光阻层上曝光显影以形成具有第一开口的光阻图案；

在所述多层掩模结构上形成具有与所述第一开口对应的第二开口的掩模图案。

3.根据权利要求2所述的基板刻蚀方法，其特征在于，所述对所述基板与多个所述开口对应的局部表面进行第一预处理以去除与所述局部表面的杂质包括：

去除曝光显影后的所述光阻图案；

采用第一气体刻蚀所述基板与所述第二开口对应的所述局部表面。

4.根据权利要求1至3任一项所述的基板刻蚀方法，其特征在于，所述对进行过所述第一预处理的所述局部表面进行刻蚀以形成与多个所述开口对应的预设沟槽之后，所述方法还包括：

去除所述预设沟槽底部和侧壁的悬挂键；

修复所述预设沟槽的侧壁。

5.根据权利要求1所述的基板刻蚀方法，其特征在于，所述多层掩模结构包括设置在所述基板上的所述不含氧的掩模层、氮化硅层和所述抗反射掩模层，其中所述不含氧的掩模层为不定型碳层，所述抗反射掩模层为含硅抗反射层。

6.根据权利要求3所述的基板刻蚀方法，其特征在于，所述第一气体为六氟化硫等离子体。

7.根据权利要求1所述的基板刻蚀方法，其特征在于，所述第二气体为氯气和三氯化硼等离子体的混合物。

8.根据权利要求1所述的基板刻蚀方法，其特征在于，所述第一功率为800~1000W，所述第二功率为600~700W。