[发明专利]沉积装置及方法

权利要求书

1.一种沉积方法，其特征在于，所述方法包括：

在进行沉积工艺处理的过程中，在沉积装置的第一气体产生子装置中产生第一气体；在沉积装置的第二气体产生子装置中产生第三气体；

通过所述沉积装置的第一管路以及所述沉积装置的第三管路将所述第一气体输送至所述沉积装置的反应腔室中，以对所述反应腔室中的半导体器件进行沉积工艺处理；在所述沉积工艺处理的过程中，通过第二管路以及第三管路将所述第三气体输送至所述反应腔室中，使得所述反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述沉积装置的第二管路和/或所述沉积装置的第二气体产生子装置中；

在所述沉积工艺处理完成后，在所述第二气体产生子装置中至少产生第二气体；

通过所述第二管路以及第三管路将所述第二气体输送至所述反应腔室中，以清洁所述反应腔室。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述沉积工艺处理完成后，在所述第二气体产生子装置产生所述第二气体及第三气体，通过所述第二管路以及第三管路将所述第二气体及第三气体输送至所述反应腔室中。