[发明专利]一种GaN基混合式三维成像与测距装置有效
| 申请号： | 202011473391.0 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112490257B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 雷建明 | 申请（专利权）人： | 南京工业职业技术大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L25/16 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 项磊 |
| 地址： | 210001 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 混合式 三维 成像 测距 装置 | ||
1.一种GaN基混合式三维成像与测距装置，其特征在于，包括处理器（1）、晶圆片（2）、硅晶片（3）、GaN紫外发光二极管（4）、GaN紫外日盲APD（5）、GaN红外探测管（6）和PCB板（7），所述GaN紫外发光二极管（4）、GaN紫外日盲APD（5）和GaN红外探测管（6）各设有若干个，并对应阵列在晶圆片（2）上构成单片集成一，所述硅晶片（3）设有APD读出电路、红外读出电路和发光控制及计数电路，构成单片集成二，所述单片集成一设在单片集成二上方，所述单片集成二连接在PCB板（7）的上表面，所述处理器（1）设在PCB板（7）的下表面；
所述单片集成一通过In柱（8）与单片集成二互联，所述晶圆片（2）的衬底采用SiC、GaN、Si或者蓝宝石制成，所述硅晶片（3）的衬底采用单晶Si制成，所述APD读出电路和发光控制及计数电路分别控制GaN紫外日盲APD（5）和GaN紫外发光二极管（4）工作于高频脉冲状态，且二者同步工作。
2.根据权利要求1所述的一种GaN基混合式三维成像与测距装置，其特征在于：所述红外读出电路通过GaN红外探测管（6）联合紫外辅助成像、测距与物体识别，由处理器（1）根据两者的数据构建三维环境图。
3.根据权利要求2所述的一种GaN基混合式三维成像与测距装置，其特征在于：通过局部测绘法以及数据差值法，GaN紫外日盲APD（5）重点测绘红外图像的不同颜色深度的发光边界，进而对数据进行修正、判断以及三维重构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
