[发明专利]一种可调节半导体单晶硅熔液对流的热场及单晶炉

权利要求书

1.一种可调节半导体单晶硅熔液对流的热场，包括石墨材质的保温筒，其特征在于，所述保温筒的外表面设有若干沿保温筒外表面周向排列的凹槽，且凹槽中放置有填充块，所述填充块为石墨填充块或者硬毡填充块；

所述保温筒包括自上而下同轴设置的上层筒体、中层筒体、下层筒体；所述凹槽设置于中层筒体上；

若干所述填充块以下面方式其中之一设置于凹槽内，

方式一、凹槽内的填充块为部分石墨填充块、部分硬毡填充块，且石墨填充块与硬毡填充块以交叉间隔方式放置；

方式二、凹槽内的填充块为部分石墨填充块、部分硬毡填充块，且两块石墨填充块相邻设置为一组，两块硬毡填充块相邻设置为一组；一组石墨填充块与一组硬毡填充块以交叉间隔方式放置；

方式三、凹槽内的填充块全部为硬毡填充块；

方式四、石墨填充块与硬毡填充块无规律任意放置于凹槽中。

2.根据权利要求1所述的热场，其特征在于：所述凹槽内外贯穿保温筒，填充块填满凹槽。

3.根据权利要求2所述的热场，其特征在于：所述若干凹槽为长方体形且尺寸相同且均匀的在保温筒的周向排列一周，且凹槽的长度方向与保温筒的轴向平行。

4.一种具有如权利要求1至3中任一项所述热场的单晶炉，其特征在于：还包括坩埚、承载坩埚的坩埚托盘、承载坩埚托盘的主轴；热场还设有位于保温筒内的侧加热器与底部加热器，所述侧加热器位于坩埚侧方，底部加热器位于坩埚托盘下方；当坩埚在热场内加热时，坩埚内溶液水平方向热对流部分的高度位于所述凹槽所在高度的范围内。

5.根据权利要求4所述的单晶炉，其特征在于：所述凹槽位于中层筒体的中下部分。