[发明专利]用于半导体样品的测试装置、测试系统及其测试方法在审

专利信息
申请号: 202011469727.6 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN112630620A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 郝镇齐;唐建石;高滨;吴华强;钱鹤 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01N21/95;G01R1/067;G01B21/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云;潘晓波
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 样品 测试 装置 系统 及其 方法
【说明书】:

一种用于半导体样品的测试装置、测试系统和测试方法,该测试装置包括:样品室,该样品室包括:包括承载面的样品台,承载面配置为承载样品器件;接触探头,接触探头配置为可移动地接触承载在承载面上的样品器件;以及壳体,壳体将样品台和接触探头容纳在内部;环境调节单元,与样品室连接,并配置为调节样品室内的环境,环境调节单元包括用于无流体地调节样品器件温度的干式温度调节单元;以及控制器,与接触探头信号连接,并配置为控制接触探头移动至与样品器件接触。该测试装置通过无流体地调节样品器件温度来控制接触探头移动至与样品器件接触,以进行长时间的测试。

技术领域

发明涉及一种用于半导体样品的测试装置、测试系统及用于该测试系统的测试方法。具体而言,本发明还涉及一种在温度变化的情况下自动测试硅片的测试装置、测试系统及其测试方法。

背景技术

随着量子计算、深空探测等前沿领域的发展,对于电子器件在极端温度的使用环境适应性要求不断提升。鉴于宇宙深空的微波背景辐射的温度是2.73K,量子计算机的工作温度通常更低,因而要求在这些应用场景下使用的诸如存储器件的电子器件能够在超低温范围内,特别是液氦温区(4.2K左右)进行测试,使得它们能够用于前述特定的应用领域中。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种用于半导体样品的测试装置,该测试装置包括:样品室,该样品室包括:包括承载面的样品台,承载面配置为承载样品器件;接触探头,该接触探头配置为可移动地接触承载在承载面上的样品器件;和壳体,该壳体将样品台和接触探头容纳在内部;环境调节单元,与样品室连接,并配置为调节样品室内的环境,该环境调节单元包括用于无流体地调节样品器件温度的干式温度调节单元;以及控制器,与接触探头信号连接,并配置为控制接触探头移动至与样品器件接触。

本公开至少一实施例还提供一种测试系统,该测试系统包括前述测试装置;以及测试仪器,配置为与接触探头信号连接,并且在接触探头与样品器件接触的情况下从接触探头获得指示样品器件的特性的测试信号并基于测试信号确定样品器件的特性。

本公开至少一实施例还提供一种用于前述测试系统的测试方法,该测试方法包括:在样品台的承载面上提供样品器件;调节样品室内的环境参数;以及通过控制器控制接触探头移动至与样品器件上的指定位置接触。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。

图1A示出了本公开至少一实施例提供的一种测试装置的框图;

图1B示出了图1A的测试装置中的样品室的示意图;

图2示出了本公开至少一实施例提供的另一种测试装置的框图;

图3示出了本公开至少一实施例提供的测试装置中的一种样品室的示意图;

图4示出了本公开至少一实施例提供的测试装置中的另一种样品室的示意图;

图5示出了本公开至少一实施例提供的测试装置中的又一种样品室的示意图;

图6A示出了本公开至少一实施例提供的测试装置中的再一种样品室的示意图;

图6B以相对于图6A俯视的角度示出了本公开至少一实施例提供的测试装置中的再一种样品室的示意图;

图7示出了本公开至少一实施例提供的又一个测试装置的示意图;

图8示出了本公开至少一实施例提供的一种测试系统的框图;

图9示出了本公开至少一具体实施例提供的一种测试系统的示意图;

图10示出了本公开至少一具体实施例提供的测试系统中的样品室的示意图;

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