[发明专利]用于设置阻变存储器的电路及其操作方法有效
申请号: | 202011468352.1 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN112509624B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 康晋锋;张逸舟;田明;刘晓彦;黄鹏 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 鄢功军 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 设置 存储器 电路 及其 操作方法 | ||
1.一种用于设置阻变存储器的电路,其特征在于,包括:
阻变存储单元,包括:串联连接的阻变存储器和选择晶体管;所述阻变存储单元的输入端用于与位线连接,输出端用于与源线连接,所述选择晶体管的栅极用于与字线连接;
第一电容,并联连接于所述阻变存储单元的输入端;以及
第二电容,并联连接于所述阻变存储单元的输出端;
所述阻变存储单元的输入端经由所述第一电容连接至地,所述阻变存储单元的输出端经由所述第二电容连接至地;
其中,所述阻变存储单元被配置为:
初始状态下,所述阻变存储单元的输入端接入第一输入信号且输出端接地,所述选择晶体管的栅压设置为零,使得所述第一电容处于充电状态;其中,所述阻变存储单元中的阻变存储器在初始状态下为高阻态;
在所述第一电容充电完成后,所述阻变存储单元所连接的源线和位线均处于悬空状态,所述选择晶体管施加的栅压使得所述选择晶体管开启,进而实现所述阻变存储器的设置。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一电容与所述第二电容的大小满足:所述阻变存储单元中的阻变存储器能够被成功设置,以从高阻态转变为低阻态。
3.一种对权利要求1-2中任一项所述的电路进行设置的操作方法,其特征在于,包括:
在阻变存储单元的输入端接入一输入信号,设置所述阻变存储单元的输出端接地,所述选择晶体管的栅压设置为零,使得所述第一电容处于充电状态;其中,所述阻变存储单元的阻变存储器处于高阻态;以及
在所述第一电容充电完成后,设置所述阻变存储单元所连接的源线和位线均悬空,在所述选择晶体管施加栅压,使得所述选择晶体管开启,进而实现所述阻变存储器的设置。
4.根据权利要求3所述的操作方法,其特征在于,还包括:
复位所述阻变存储单元中的阻变存储器,使得所述阻变存储器处于高阻态。
5.一种用于设置阻变存储器的电路,其特征在于,包括:
存储单元阵列,包括m行×n列的阻变存储单元和连接于阻变存储单元之间的导线;所述阻变存储单元包括:串联连接的阻变存储器和选择晶体管;所述阻变存储单元的输入端用于与位线连接,所述阻变存储单元的输出端用于与源线连接,所述选择晶体管的栅极用于与字线连接;
其中,m×n≥2,且m和n的大小满足:该存储单元阵列中导线的寄生电容的大小使得所述存储单元阵列中用于实施写入操作的阻变存储单元中的阻变存储器能够被成功设置,以从高阻态转变为低阻态;
其中,所述电路被配置为:
特定阻变存储单元所连接的位线和源线被选通,特定阻变存储单元中的选择晶体管所连接的字线被选通;其中,所述特定阻变存储单元为一个或多个;
特定阻变存储单元所连接的位线上接入第二输入信号,特定阻变存储单元所连接的源线接地,特定阻变存储单元中的选择晶体管所连接的字线接入零电压,使得存储单元阵列的导线的寄生电容处于充电状态;
在存储单元阵列的导线的寄生电容充电完成后,所述特定阻变存储单元所连接的源线和位线均处于悬空状态,所述特定阻变存储单元的选择晶体管施加的栅压使得所述选择晶体管开启,进而实现特定阻变存储器的设置。
6.根据权利要求5所述的电路,其特征在于,所述存储单元阵列还包括:
m条位线,用于将m行阻变存储单元中每一行阻变存储单元的输入端连接起来;
m条源线,用于将m行阻变存储单元中的每一行阻变存储单元的输出端连接起来;以及
n条字线,用于将n列阻变存储单元中每一列阻变存储单元的选择晶体管的栅极连接起来。
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