[发明专利]闪存的数据保持力测试方法

权利要求书

1.一种闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：闪存的存储阵列由多个存储单元行列排列而成，各所述存储单元在编程时在编程电压的作用下会在各所述存储单元的浮栅中注入电子；所述闪存的编程数据保持力测试包括如下步骤：

步骤一、选定多个存储单元，对多个所述存储单元进行弱编程，所述弱编程对应的弱编程电压小于所述编程电压，所述弱编程电压使得所述弱编程后的所述存储单元的浮栅中注入的电子数量小于所述编程后的所述存储单元的浮栅中注入的电子数量；

步骤二、测量经过所述弱编程后的各所述存储单元的第一单元电流，各所述存储单元的第一单元电流具有分散性；

步骤三、对所述弱编程后的各所述存储单元进行用于性能退化的应力作用；

步骤四、测量经过所述应力作用的各所述存储单元的第二单元电流；

步骤五、计算各所述存储单元对应的第二单元电流和第一单元电流的差值并作为单元电流增加值；

步骤六、以各所述存储单元的所述第一单元电流为X值，以各所述存储单元的所述单元电流增加值为Y值，进行X值和Y值的曲线拟合并将拟合结果作为编程数据保持力的测试结果。

2.如权利要求1所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：步骤六中，Y值和X值呈线性关系，所述拟合结果为拟合曲线的斜率。

3.如权利要求1所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：所述存储单元的编程采用源端热电子注入编程。

4.如权利要求3所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：所述存储单元采用双分离栅结构。

5.如权利要求4所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：所述闪存的存储阵列为NOR型。

6.如权利要求5所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：步骤一中，以扇区为单位选定的所述存储单元。

7.如权利要求4所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：所述存储单元包括第一源漏区、第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和第二源漏区；

所述第一栅极结构包括第一隧穿栅介质层、第一浮栅、第一控制栅介质层，第一控制栅；

所述第二栅极结构包括栅介质层和栅极导电材料层；

所述第三栅极结构包括第二隧穿栅介质层、第二浮栅、第二控制栅介质层，第二控制栅；

所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第三栅极结构覆盖在沟道区的表面并分别控制所述沟道区的第一部分、第二部分和第三部分；

所述第一栅极结构和所述第三栅极结构对称设置在所述第二栅极结构两侧；

所述第一源漏区和所述第二源漏区对称设置在所述沟道区的两侧；

所述第一浮栅作为所述存储单元的第一存储位，所述第二浮栅作为所述存储单元的第二存储位。

8.如权利要求7所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：所述沟道区为P型掺杂；所述第一源漏区和所述第二源漏区都为N型重掺杂。

9.如权利要求7所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：所述第一浮栅、所述第一控制栅、所述栅极导电材料层、所述第二浮栅和所述第二控制栅的材料都为多晶硅。

10.如权利要求7所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：所述第一隧穿栅介质层、所述栅介质层和所述第二隧穿栅介质层的材料都为氧化层；所述第一控制栅介质层和所述第二控制栅介质层的材料为氧化层或氮化层。

11.如权利要求8所述的闪存的数据保持力测试方法，其特征在于：对所述第一存储位进行编程时，所述栅极导电材料层连接使所述沟道区的第一部分导通的电压，所述第二控制栅连接使所述沟道区的第三部分导通的电压；所述第一源漏区连接编程位线电压，所述第二源漏区连接编程源极电流，所述第一控制栅连接编程控制栅电压；

对所述第二存储位进行编程时电连接关系和对所述第一存储位进行编程正好对称。