[发明专利]一种平面型APD的外延结构、APD及其制作方法

权利要求书

1.一种平面型APD的外延结构，其包括倍增层(2)，其特征在于：所述倍增层(2)包括至少一组倍增单元(20)，所述倍增单元(20)从上到下依次包括载流子加速区(21)和碰撞电离区(22)，且所述载流子加速区(21)为本征InAlAs材料，所述碰撞电离区(22)为本征InP材料。

2.如权利要求1所述的平面型APD的外延结构，其特征在于：所述倍增层(2)包括若干组倍增单元(20)，所有倍增单元(20)依次层叠设置。

3.如权利要求2所述的平面型APD的外延结构，其特征在于：所述倍增单元(20)的组数为1～5。

4.如权利要求1所述的平面型APD的外延结构，其特征在于，所述外延结构从上到下依次包括接触层(1)、倍增层(2)、电荷层(3)、过渡层(4)、吸收层(5)、缓冲层(6)、衬底(7)。

5.如权利要求4所述的平面型APD的外延结构，其特征在于，所述接触层(1)为本征InP材料，所述电荷层(3)为N型InP材料，所述过渡层(4)为本征InGaAsP材料，所述吸收层(5)为本征InGaAs材料，所述缓冲层(6)为N型InP材料，所述衬底(7)为N型InP材料。

6.如权利要求4所述的平面型APD的外延结构，其特征在于，所述接触层(1)的厚度为2～3μm，所述电荷层(3)的厚度为0.1～0.3μm，所述过渡层(4)的厚度为60～120nm，所述吸收层(5)的厚度为1～3μm，所述缓冲层(6)的厚度为0.5～1μm。

7.如权利要求2所述的平面型APD的外延结构，其特征在于，所述倍增层(2)包括四组倍增单元(20)，四组所述载流子加速区(21)和碰撞电离区(22)的厚度均为50nm。

8.一种APD，其特征在于，所述雪崩光电二极管APD由如权利要求1至7任一项所述的平面型APD的外延结构经过锌扩散工艺制作而成。

9.一种如权利要求8所述的APD的制作方法，其特征在于，包括步骤：

制作平面型APD的外延结构，所述外延结构包括倍增层(2)，所述倍增层(2)包括至少一组倍增单元(20)，所述倍增单元(20)从上到下依次包括载流子加速区(21)和碰撞电离区(22)，且所述载流子加速区(21)为本征InAlAs材料，所述碰撞电离区(22)为本征InP材料；

在所述平面型APD的外延结构上进行锌扩散，并制作电极，形成APD结构。

10.如权利要求9所述的APD的制作方法，其特征在于，所述制作平面型APD的外延结构的具体步骤包括：

自下而上依次制作衬底(7)、缓冲层(6)、吸收层(5)、过渡层(4)、电荷层(3)、倍增层(2)和接触层(1)。