[发明专利]一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法

说明书

本发明为涉及一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，包括以下步骤：在硅基板上制备阳极像素阵列、以及PAD接口；在所述PAD接口上喷涂接口保护膜；所述喷涂方式为喷墨打印；通过真空蒸镀工艺制备OLED有机发光结构；通过薄膜密封工艺制备所述OLED有机发光结构的保护层；在所述保护层外侧贴盖玻璃盖片；通过激光轰击所述PAD接口所在区域，并使得所述PAD接口完全暴露；经过测试封装后，完成硅基OLED显示芯片接口的制造。有益效果是：使用喷墨打印技术代替光刻工艺制备接口保护层后，彻底避免了金属阳极被腐蚀和残留物导致的器件电压升高、电压不稳定、亮度不均匀、像素污染、寿命大幅缩短等问题，提升了器件的性能和寿命。

技术领域

本发明涉及加热装置技术领域，尤其是涉及一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法。

背景技术

OLED即有机发光二极管OLED(Organic Light-Emitting Diode)，是一种利用多层有机薄膜结构产生电致发光的器件。OLED显示技术具有全固态、自发光、对比度高、功耗低、色域广、视角广、响应速度块、工作温度范围广等一系列优点，被业界公认为是继液晶显示器(LCD)之后的第三代显示技术，能极大地满足消费者对显示技术的新需求。

硅基OLED微型显示器，是半导体技术和OLED显示技术的结合，不但具备OLED显示器的上述优点，同时还具备半导体芯片微型化和高度集成的优点。其尺寸一般在1英寸以内，像素密度可高达5000PPI以上，远高于玻璃基板OLED显示器，在快速发展的近眼显示领域有广阔的应用前景。

硅基OLED微型显示器，通常包括具有驱动电路的硅基板和基板之上的OLED发光结构。在OLED结构中，OLED有机材料和阴极金属材料都具有活性高、易氧化的特点，很容易与空气中的水、氧反应，导致发光效率降低、电压升高、寿命缩短、器件失效等问题。因此，必须采用薄膜密封工艺对OLED结构进行可靠的保护，使OLED结构与外界隔绝。硅基OLED器件的密封层由多层非晶态金属氧化物制备，可实现了对水汽氧气的高效阻隔，并且具备透光性好、针孔及裂纹少的优点。但是密封工艺后，硅基板上的Pad接口会被密封膜层覆盖，导致无法进行后续的焊线工艺，并且密封膜层较为致密，难以通过非接触手段去除，因此就需要在密封工艺前对Pad接口进行保护，以便后续容易去除Pad接口上的密封层。

现有的接口保护方法是：在制备好金属阳极之后，采用光刻工艺，在PAD接口上制备一层光刻胶接口保护层；密封工艺中，密封膜层沉积在该层光刻胶上，而不是直接沉积Pad上；待器件制备完成之后，用激光束轰击PAD区域，PAD表面的光刻胶吸收能量后形成急剧膨胀的等离子体，带动光刻胶上的密封膜层一起被烧蚀，从而达到将PAD暴露的效果，见发明专利“有机发光显示器接口清洗工艺”，专利号：ZL 200810233757X。

但是在保护PAD的光刻工艺中就会带来一些问题，一是金属阳极薄膜会在光刻显影的过程中不耐碱性显影液腐蚀，二是显影工艺过程中，难以实现精确控制，显影不充分会导致光刻胶残留在阳极上，显影过度则会导致金属阳极被腐蚀。以上问题不但大大限制了金属阳极材料的选择，还容易在阳极像素上引入缺陷和残留物，使得器件的性能和寿命受到影响。

发明内容

本发明提供一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，以解决现有技术中的过滤/分离效果差，需要多次加工，操作复杂等问题。

本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：

一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，包括以下步骤：

S01，在硅基板上制备阳极像素阵列、以及PAD接口；

S02，在所述PAD接口上喷涂接口保护膜；所述喷涂方式为喷墨打印；

S03，通过真空蒸镀工艺制备OLED有机发光结构；

S04，通过薄膜密封工艺制备所述OLED有机发光结构的保护层；