[发明专利]一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法在审
| 申请号： | 202011457515.6 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112563442A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 孙浩;李牧词;茆胜 | 申请（专利权）人： | 深圳市智联汇网络系统企业（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海洞鉴知识产权代理事务所(普通合伙) 31346 | 代理人： | 刘少伟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 显示 芯片 接口 制作方法 | ||
1.一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S01，在硅基板上制备阳极像素阵列、以及PAD接口；
S02，在所述PAD接口上喷涂接口保护膜；所述喷涂方式为喷墨打印；
S03，通过真空蒸镀工艺制备OLED有机发光结构；
S04，通过薄膜密封工艺制备所述OLED有机发光结构的保护层；
S05，在所述保护层外侧贴盖玻璃盖片；
S06，通过激光轰击所述PAD接口所在区域，并使得所述PAD接口完全暴露；
S07，经过测试封装后，完成硅基OLED显示芯片接口的制造。
2.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，步骤S02中的保护膜的喷涂厚度为50nm-100nm。
3.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，步骤S02中的保护膜的喷涂材料为Alq3。
4.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，步骤S04中的保护层的至少为两层，其中第一层材料为Al2O3，第二层材料为Parylene。
5.根据权利要求4所述的一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，所述第一层的厚度为50nm-100nm。
6.根据权利要求4所述的一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，所述第二层的厚度为500nm-700nm。
7.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，步骤S06中的所述的激光为248nm的KrF激光。
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