[发明专利]静态随机存取存储器组成的存储器元件在审
| 申请号： | 202011449934.5 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112489701A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 曾俊砚;龙镜丞;郭有策;黄俊宪;陈建宏 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C11/417;G11C8/16;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 组成 存储器 元件 | ||
1.一种六晶体管静态随机存取内存(6T-SRAM)单元，其特征在于，包含：
第一反向器，包含有第一上拉晶体管，第一下拉晶体管以及第一存储节点；
第二反向器，包含有第二上拉晶体管，第二下拉晶体管以及第二存储节点，其中该第一存储节点与该第二上拉晶体管的栅极以及该第二下拉晶体管的栅极连接；
切换晶体管，与该第二存储节点、该第一上拉晶体管的栅极以及该第一下拉晶体管的栅极连接；以及
存取晶体管，与该第一上拉晶体管的栅极以及该第一下拉晶体管的栅极连接，其中该切换晶体管的栅极与该存取晶体管的栅极彼此不直接相连。
2.如权利要求1所述的六晶体管静态随机存取内存单元，其中该切换晶体管包含NMOS晶体管。
3.如权利要求1所述的六晶体管静态随机存取内存单元，其中该切换晶体管的该栅极与功能线连接。
4.如权利要求3所述的六晶体管静态随机存取内存单元，其中该存取晶体管的该栅极与字符线连接。
5.如权利要求4所述的六晶体管静态随机存取内存单元，其中该存取晶体管与位线连接。
6.如权利要求4所述的六晶体管静态随机存取内存单元，其中该位线、该字符线与该功能线传送分别独立的信号。
7.如权利要求1所述的六晶体管静态随机存取内存单元，其中该第二上拉晶体管的栅极以及该第二下拉晶体管的栅极互相耦合。
8.如权利要求1所述的六晶体管静态随机存取内存单元，其中该六晶体管静态随机存取内存单元仅包含有六个晶体管。
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