[发明专利]基板处理装置在审
| 申请号: | 202011446244.4 | 申请日: | 2020-12-09 |
| 公开(公告)号: | CN113764318A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
| 发明(设计)人: | 秋山政宪;松尾达彦;片庭哲也 | 申请(专利权)人: | 开美科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67;H05K3/00 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 任玉敏 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,以倒伏姿势的板状的基板的下表面沿着输送基准面大致水平地移动的方式输送所述基板并进行处理,其特征在于:
具备:
第一辊,在所述输送基准面的上方具有能够相对于所述输送基准面升降的第一旋转轴,在搭上输送中途的所述基板的上表面的状态下一边与所述基板的上表面接触一边以所述第一旋转轴为中心进行旋转;
第二辊,在所述第一辊的输送方向下游侧的所述输送基准面的上方具有能够相对于所述输送基准面升降的第二旋转轴,在搭上输送中途的所述基板的上表面的状态下一边与所述基板的上表面接触一边以所述第二旋转轴为中心进行旋转;
升降体,在所述输送基准面的上方配置于所述第一旋转轴与所述第二旋转轴之间,在所述第一辊及所述第二辊这两者未搭上所述基板的上表面的期间,相对于所述输送基准面被维持在规定的下降位置,在所述第一辊和所述第二辊中的至少一方搭上所述基板的上表面的期间,利用搭上所述基板的上表面的辊的旋转轴从所述下降位置向上方被抬起并维持;
升降方向限制单元,将从所述下降位置起升降时的所述升降体的升降方向限制为相对于所述输送基准面大致垂直的方向;及
功能部,以在所述升降体下降到所述下降位置的状态下位于所述输送基准面的上方的方式被一体或分体地固定设置于所述升降体,从上方与输送中途的所述基板的上表面对置而发挥作用。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
具备第二升降方向限制单元,将所述第一旋转轴的升降方向及所述第二旋转轴的升降方向限制为相对于所述输送基准面大致垂直的方向。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述功能部具有从所述基板的上表面抽吸液体的抽吸口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





