[发明专利]单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置

说明书

本发明公开了一种单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置，包括：用于固定晶圆的卡置装置；在卡置装置中形成有供应气道，在卡置装置的表面上形成有隆起环；晶圆固定在卡置装置上时，晶圆的第一面和卡置装置表面之间表面气道，隆起环环绕在晶圆的边缘周侧且隆起环和晶圆边缘之间形成边缘气道；背面气体通过供应气道流入到表面气道中形成气垫，背面气体从边缘气道流出到晶圆外；晶圆的第二面为需要进行湿法刻蚀的表面，在湿法刻蚀中，边缘气道的背面气体完全阻止湿法刻蚀液流从晶圆的边缘流到第一面。本发明能完全避免湿法刻蚀液从晶圆边缘流到非刻蚀面，从而能对晶圆的非刻蚀面形成很好的保护，从而能提高产品良率。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造设备，特别是涉及一种单片湿法刻蚀机台的晶圆边缘保护装置。

背景技术

晶圆清洗即湿法刻蚀如晶圆背面清洗是晶圆制造过程中一种重要工艺过程，广泛用于闪存(Flash)，功率(Power)器件等多种产品流程中。

湿法刻蚀工艺能采用一批次(lot)的多片清洗实现，也能采用单片清洗实现。本发明涉及单片湿法刻蚀机台。

如图1所示，是现有单片湿法刻蚀机台的卡置装置101的结构示意图；图2是图 1的晶圆103边缘处的放大图；现有单片湿法刻蚀机台包括：

用于固定晶圆103的卡置装置101；

在所述卡置装置101中形成有连通到所述卡置装置101表面的供应气道102。

所述晶圆103固定在所述卡置装置101上时，所述晶圆103的第一面103a和所述卡置装置101表面之间表面气道。

背面气体106通过所述供应气道102流入到所述表面气道中形成气垫109。

所述晶圆103的第二面103b为需要进行湿法刻蚀的表面。

在所述卡置装置101上具有多个顶针105，所述晶圆103的放置在所述顶针105 上。图1中显示了两个所述顶针105。

各所述顶针105均匀分布在同一圆周上。所述顶针105对应的圆周位于所述晶圆103的边缘内侧。

在剖面结构上，所述供应气道102呈Y字型分布。

所述背面气体106包括氮气。

所述湿法刻蚀液107通过供液装置从所述晶圆103的第二面103b的上方流入到所述晶圆103的第二面103b上。所述卡置装置101设置在转动装置上，在所述湿法刻蚀过程中，所述卡置装置101在所述转动装置带动下进行如标记108所示的旋转并使所述晶圆103选择，所述晶圆103旋转时能使所述湿法刻蚀液107在离心力的左右下均匀分布，且部分标记为107a对应的所述湿法刻蚀液会甩出所述晶圆103。

所述供液装置包括供液管和设置在所述供液管上的供液喷嘴104。

在进行所述湿法刻蚀时，所述供液管供应湿法刻蚀液107并从所述供液喷嘴104喷出。

所述供液管的上游设置有回吸装置；在湿法刻蚀完成后，所述回吸装置工作并将所述湿法刻蚀液107从所述供液喷嘴104和所述供液管中回吸。

所述晶圆103的第一面103a为背面，所述晶圆103的第二面103b被正面，半导体器件形成在所述晶圆103的第二面103b上。

在所述湿法刻蚀中，刻蚀终点将会终止与所述晶圆103的第一面103a的边缘区域上。

如图3A所示，是采用图1现有单片湿法刻蚀机台进行湿法刻蚀前的晶圆103结构图；在所述晶圆103上形成有氧化层201，所述晶圆103的第二面103b上的氧化层 201需要被刻蚀掉。