[发明专利]一种半导体辐射电池在审
| 申请号： | 202011416015.8 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112489848A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;贾玉萍;孙晓娟;蒋科;陈洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 辐射 电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体辐射电池，其特征在于，包括依次形成于衬底(1)上方的半导体转换层(2)和石墨烯上电极(3)、以及形成于衬底(1)下方的金属下电极(4)。
2.如权利要求1所述的半导体辐射电池，其特征在于，所述石墨烯上电极(3)的厚度在1-100nm。
3.如权利要求1所述的半导体辐射电池，其特征在于，所述半导体转换层(2)的材料选择为SiC、GaN、ZnO、金刚石中任意一种。
4.如权利要求1所述的半导体辐射电池，其特征在于，所述半导体转换层(2)的结构为PN结结构、PIN结结构或肖特基结构中的任意一种。
5.如权利要求1所述的半导体辐射电池，其特征在于，所述金属下电极(4)材料选择为Ti、Al、Au中的任意一种。
6.如权利要求1所述的半导体辐射电池，其特征在于，所述金属下电极(4)的接触类型是欧姆接触。
7.如权利要求1所述的半导体辐射电池，其特征在于，所述的半导体辐射电池的石墨烯上电极(3)制备方法包括如下步骤：
S1：碳化硅热分解法。
S2：湿法转移CVD石墨烯法。
S3：旋涂\滴涂\喷涂石墨烯溶液法。
8.如权利要求1所述的半导体辐射电池，其特征在于，利用掩膜法在石墨烯上电极(3)制备金属接线点，完成石墨烯电极辐射电池的制备。
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