[发明专利]NOR Flash的工艺方法

说明书

本发明公开了一种NOR Flash的工艺方法：第一步，划分NOR Flash的存储单元区域以及外围区域，分别制作各个隔离阱，形成阈值电压调节注入层，并淀积形成存储单元区域多晶硅以及外围区域多晶硅；第二步，通过掩膜版定义刻蚀打开存储单元区域多晶硅的窗口，将存储单元区域多晶硅暴露；第三步，对打开的存储单元区域多晶硅的窗口内的存储单元区域多晶硅进行回刻蚀，然后去除光刻胶；第四步，在衬底整体表面淀积层间介质。本发明在淀积层间介质之前先对存储单元区域的多晶硅进行一次回刻蚀，降低存储器单元多晶硅厚度，减少了存储器单元多晶硅与外围区域多晶硅之间的高度差，层间介质淀积过程中避免了空洞的形成，也提高了存储器单元多晶硅区域的接触孔填充能力。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是指一种提高NOR Flash良率的NOR Flash的工艺方法。

背景技术

NOR 和NAND Flash是市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术。1989年东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。如果只是用来存储少量的代码，NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多。Flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于NOR Flash工艺本身的特性，存储单元区域多晶硅（Cell Poly）的高度比外围区域多晶硅（Peri Poly）高约750Å，如图1所示，导致存储单元区域的接触孔(CT)在填充的时候容易出现空洞（Void），引起位线BL之间的桥接（BL Bridge）。

同时，由于工艺集成度的提高，55 NOR Flash工艺存储管芯区域的漏端（Drain）之间的间距（Drain Space）从之前的260nm缩减到目前的200nm，如图2所示虚线框处所示。导致层间介质（ILD）填充会更加困难，也容易出现BL Bridge。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种NOR Flash的工艺方法，针对淀积形成层间介质时的空洞问题进行改善。

为解决上述问题，本发明所述的一种NOR Flash的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：

第一步，在衬底上形成NOR Flash的存储单元区域以及外围区域，分别制作各个隔离阱，通过离子注入制作形成阈值电压调节注入层，并淀积形成存储单元区域多晶硅以及外围区域多晶硅；

第二步，涂覆光刻胶，通过掩膜版定义刻蚀打开存储单元区域多晶硅的窗口，将存储单元区域多晶硅暴露；

第三步，对打开的存储单元区域多晶硅的窗口内的存储单元区域多晶硅进行刻蚀，进一步降低存储单元区域多晶硅的厚度；然后去除光刻胶；

第四步，在衬底整体表面淀积层间介质。

进一步地改进是，所述第一步中，淀积的存储单元区域多晶硅的高度高于外围区域多晶硅，在存储单元区域多晶硅和外围区域多晶硅衔接处由于高度差形成台阶。

进一步地改进是，所述的台阶的高度为750ű100Å。