[发明专利]透明柔性单晶硅材料及其制备方法

权利要求书

1.一种透明柔性单晶硅材料，其特征在于：包括呈片状的单晶硅片，所述单晶硅片上具有多个镂空孔，所述镂空孔组成阵列化镂空图案，所述单晶硅片上的孔占比为99％以下，所述单晶硅片的厚度为微米级。

2.根据权利要求1所述的透明柔性单晶硅材料，其特征在于：所述单晶硅片的厚度为10微米-50微米。

3.根据权利要求1所述的透明柔性单晶硅材料，其特征在于：所述镂空孔的形状为三角形、方形、圆形或多边形。

4.根据权利要求1所述的透明柔性单晶硅材料，其特征在于：所述单晶硅片上的孔占比为60％-99％。

5.一种权利要求1-4中任一项所述的透明柔性单晶硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)使用碱性溶液刻蚀洁净的硅片，刻蚀温度为50℃-150℃，得到所述单晶硅片；

(2)在所述单晶硅片的一侧表面涂布一层光刻胶，然后利用具有阵列化镂空图案的掩膜版对所述光刻胶进行曝光并显影，将掩膜版的图案复刻至光刻胶上，以在所述单晶硅片的一侧表面形成图案化的光刻胶；

(3)对经步骤(2)处理后的单晶硅片进行反应离子刻蚀，其中未被图案化的光刻胶遮掩的单晶硅片被刻蚀后形成所述镂空孔，被光刻胶遮掩的单晶硅片不被刻蚀，刻蚀完毕后去除光刻胶，得到所述透明柔性单晶硅材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述硅片的厚度不超过200微米。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述碱性溶液为氢氧化钾水溶液和/或氢氧化钠水溶液。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述碱性溶液的浓度为20wt％-80wt％。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，在涂布光刻胶之前，还包括将所述单晶硅片转移到基底上的步骤。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述基底为硅片、玻璃片或石英片。