[发明专利]多芯片封装方法

权利要求书

1.一种多芯片封装方法，其特征在于，包括：

提供第一圆片，所述第一圆片设有若干矩阵排列的主芯片，所述第一圆片包括相背设置的正面和背面，所述主芯片的正面即所述第一圆片的正面，所述主芯片的背面即所述第一圆片的背面，所述主芯片的正面设置有多个第一焊盘；

在每个所述第一焊盘位置处形成电连接件；

在部分相邻的所述电连接件上设置桥接芯片，其中相邻的所述电连接件分别位于相邻的两个所述主芯片上，以使得相邻的两个所述主芯片通过所述桥接芯片电连接；

切割所述第一圆片，以获得多个封装体，其中所述封装体中包含电连接的至少两个所述主芯片和至少一个所述桥接芯片。

2.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述在部分相邻的所述电连接件上设置桥接芯片的步骤之前，还包括：

利用可去除的第一胶膜将所述第一圆片的正面贴附在第一载板上；

研磨所述第一圆片的背面，以减薄所述第一圆片的厚度；

利用可去除的第二胶膜将所述第一圆片的背面贴附在第二载板上；

去除所述第一胶膜和所述第一载板。

3.根据权利要求2所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述提供第一圆片的步骤中相邻所述主芯片之间设置有非贯通的划片槽，且相邻所述主芯片的类型不同；

所述利用可去除的第一胶膜将所述第一圆片的正面贴附在第一载板上的步骤之前，还包括：去除所述划片槽位置处的部分所述第一圆片，以使得所述划片槽的深度增大；

所述研磨所述第一圆片的背面的步骤，包括：研磨所述第一圆片的背面直至所述划片槽露出。

4.根据权利要求3所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述去除所述划片槽位置处的部分所述第一圆片的步骤之后，还包括：在所述划片槽内形成绝缘层。

5.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，

所述在部分相邻的所述电连接件上设置桥接芯片的步骤之前，还包括：提供第二圆片，所述第二圆片上设有若干矩阵排列的桥接芯片；所述桥接芯片的正面即所述第二圆片的正面，所述桥接芯片的背面即所述第二圆片的背面，所述桥接芯片的正面设置有多个第二焊盘；

所述在部分相邻的所述电连接件上设置桥接芯片的步骤，包括：将所述第二圆片的正面朝向所述第一圆片的正面，且一个所述桥接芯片横跨于相邻的两个所述主芯片上方；使每个所述第二焊盘与对应位置处的所述电连接件电连接。

6.根据权利要求5所述的多芯片封装方法，其特征在于，

所述在部分相邻的所述电连接件上设置桥接芯片的步骤之前，还包括：利用可去除的第三胶膜将所述第二圆片的正面贴附在第三载板上；研磨所述第二圆片的背面，以减薄所述第二圆片的厚度；利用可去除的第四胶膜将所述第二圆片的背面贴附在第四载板上；去除所述第三胶膜和所述第三载板；

所述切割所述第一圆片的步骤之前，还包括：去除所述第四胶膜和所述第四载板。

7.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，

所述封装体中的每个所述主芯片包括第一区域和第二区域，所有所述第一区域相邻设置，且相邻所述第一区域上的第一焊盘通过对应的所述电连接件和所述桥接芯片电连接。

8.根据权利要求7所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述切割所述第一圆片的步骤之后，还包括：

将所述封装体中的所述桥接芯片朝向表面设置有凹槽的封装基板；

使所述封装体中的至少部分所述桥接芯片位于所述凹槽内，且使所述第二区域上的所述电连接件与所述封装基板电连接。

9.根据权利要求7所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述切割所述第一圆片的步骤之后，还包括：

在所述第二区域上的所述电连接件上形成导电柱，所述导电柱远离所述主芯片一侧与所述桥接芯片远离所述主芯片一侧齐平；

将所述封装体中的所述桥接芯片朝向表面平整的封装基板，且使所述导电柱与所述封装基板电连接。

10.根据权利要求7所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述切割所述第一圆片的步骤之后，还包括：

在所述封装体设置有所述桥接芯片一侧形成塑封层，所述塑封层覆盖所述主芯片的正面以及所述桥接芯片；

在所述塑封层对应所述第二区域的所述电连接件的位置形成导电孔；

在所述塑封层背离所述主芯片的位置形成再布线层，所述再布线层与所述导电孔电连接。