[发明专利]一种多压头热压回流装置及其操作方法在审
申请号: | 202011317643.0 | 申请日: | 2020-11-23 |
公开(公告)号: | CN112333932A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 朱玲;吴懿平;吕卫文;祝超;王威 | 申请(专利权)人: | 深圳远芯光路科技有限公司 |
主分类号: | H05K3/34 | 分类号: | H05K3/34 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 颜希文;郝传鑫 |
地址: | 518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压头 热压 回流 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种多压头热压回流装置,其特征在于,包括底座、机架、热压机构和基座平台,所述机架固定在所述底座上,所述热压机构设置在所述机架的顶部,所述热压机构包括安装板、阵列排布在所述安装板上的多个压头单元以及驱动所述安装板上下移动的驱动单元,所述压头单元的上端与所述安装板连接,所述压头单元的下端设有平面压头,所述基座平台设置在所述压头单元与所述底座之间,且所述平面压头与放置在所述基座平台上的待加工的芯片基板正对。
2.根据权利要求1所述的多压头热压回流装置,其特征在于,所述压头单元的下方设有柔性缓冲膜,所述柔性缓冲膜设置在所述平面压头与所述基座平台之间,所述柔性缓冲膜由收放卷轴机构驱动释放及回收。
3.根据权利要求1或2所述的多压头热压回流装置,其特征在于,所述平面压头由高导热、低热变形材料制成,所述平面压头的四周包覆有绝热层,所述平面压头上设有加热器和冷却器,所述加热器位于靠近压头热压平面的一侧,所述冷却器位于远离压头热压平面的一侧。
4.根据权利要求3所述的多压头热压回流装置,其特征在于,所述压头单元还包括用于检测平面压头压力的压力传感器以及用于检测平面压头温度的温度传感器。
5.根据权利要求1或2所述的多压头热压回流装置,其特征在于,所述平面压头由透明材料制成,所述平面压头上设有激光发射器,所述激光发射器所发出的激光能透过所述平面压头直接对芯片加热。
6.根据权利要求5所述的多压头热压回流装置,其特征在于,所述压头单元还包括所述压头单元设有用于检测平面压头压力的压力传感器。
7.根据权利要求1所述的多压头热压回流装置,其特征在于,所述基座平台的上表面设有一层柔性耐高温涂层。
8.根据权利要求1所述的多压头热压回流装置,其特征在于,所述基座平台上设有用于固定待加工的芯片基板的基板固定机构。
9.根据权利要求1所述的多压头热压回流装置,其特征在于,所述基座平台连接有能将其送入或送出所述压头单元与所述底座之间的基座平台移动机构。
10.一种采用权利要求1至9任一项所述的多压头热压回流装置的操作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一:将贴装好芯片的芯片基板放在基座平台上,并通过基板固定机构固定好位置,然后由基座平台移动机构将基座平台送至压头单元的正下方,且使平面压头与待加工的芯片基板正对;
步骤二:在待加工的芯片基板与平面压头之间放置一层柔性缓冲膜;
步骤三:通过加热器直接对平面压头进行加热,并根据实际需求设置好平面压头的温度变化曲线及压力变化曲线,然后下压;
或者,通过激光发射器直接对芯片进行加热,并根据实际需求设置好激光的功率和激光工作的时间,以及压力变化曲线,然后下压;
步骤四:热压回流一段时间,使芯片电极与焊盘电极迅速键合;
步骤五:热压回流完成后,平面压头通过冷却器进行冷却或者停止激光加热,冷却到一定温度后,平面压头抬起;将芯片基板从基座平台上取下,在空气中冷却;收放卷轴机构驱动柔性缓冲膜移动,露出新的柔性缓冲膜,准备新一轮热压操作。
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