[发明专利]全无机卤化物钙钛矿CsPbBr3

权利要求书

1.一种全无机卤化物钙钛矿CsPbBr₃晶片表面二次相颗粒显现方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：将5000#砂纸砂纸置于抛光盘上，晶片置于砂纸上，之间滴加分析纯99.7％的无水乙醇，按压晶片进行磨抛后，换另一面加入无水乙醇按压晶片后进行磨抛，然后用无水乙醇清洗干净，高纯氮气吹干；

步骤2：将研磨垫粘贴于抛光盘上，滴加分析纯99.7％的无水乙醇，在将氧化镁MgO颗粒均匀撒在分析纯无水乙醇上，然后放置晶片，按压晶片进行磨抛后，换另一面加入无水乙醇和氧化镁MgO颗粒后按压晶片进行磨抛，然后用无水乙醇清洗干净，高纯氮气吹干；

步骤3：将研磨垫粘贴于抛光盘上，滴加分析纯99.7％的无水乙醇，按压晶片进行磨抛后，换另一面加入无水乙醇后按压晶片进行磨抛，然后用无水乙醇清洗干净，高纯氮气吹干；

步骤4：用分析纯99.7％的无水乙醇和浓度为40-48％的氢溴酸配置体积分数为5-20％的氢溴酸乙醇溶液作为腐蚀液，将抛光后的晶片在腐蚀液中腐蚀3-15min，腐蚀后用无水乙醇除去晶片表面残留溶液，高纯氮气缓气流吹干；

使用SEM和EDS在晶片表面，实现对二次相颗粒形貌、尺寸、分布和组分特征参数的精确表征。

2.根据权利要求1所述全无机卤化物钙钛矿CsPbBr₃晶片表面二次相颗粒显现方法，其特征在于：所述磨抛方式为：按压晶片匀速画8字进行磨抛。

3.根据权利要求1所述全无机卤化物钙钛矿CsPbBr₃晶片表面二次相颗粒显现方法，其特征在于：所述步骤1得磨抛时间为150-300秒。

4.根据权利要求1所述全无机卤化物钙钛矿CsPbBr₃晶片表面二次相颗粒显现方法，其特征在于：所述氧化镁MgO颗粒得粒径为3μm。

5.根据权利要求1所述全无机卤化物钙钛矿CsPbBr₃晶片表面二次相颗粒显现方法，其特征在于：所述步骤2的磨抛时间为300-800秒。

6.根据权利要求1所述全无机卤化物钙钛矿CsPbBr₃晶片表面二次相颗粒显现方法，其特征在于：所述步骤3的磨抛时间为100-200秒。

7.根据权利要求1所述全无机卤化物钙钛矿CsPbBr₃晶片表面二次相颗粒显现方法，其特征在于：所述三个步骤的磨抛的抛光盘为不同抛光盘。

8.根据权利要求1所述全无机卤化物钙钛矿CsPbBr₃晶片表面二次相颗粒显现方法，其特征在于：所述步骤1滴加于砂纸和晶片之间的无水乙醇为2-5毫升。

9.根据权利要求1所述全无机卤化物钙钛矿CsPbBr₃晶片表面二次相颗粒显现方法，其特征在于：所述步骤2滴加于研磨垫和晶片之间的无水乙醇小于1毫升。

10.根据权利要求1所述全无机卤化物钙钛矿CsPbBr₃晶片表面二次相颗粒显现方法，其特征在于：所述步骤3滴加于研磨垫和晶片之间的无水乙醇5-10毫升。