[发明专利]量子点发光二极管、显示装置和发光光源

说明书

本申请涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管、显示装置和发光光源。该量子点发光二极管包括量子点层和与所述量子点层邻接的的空穴阻挡层，所述空穴阻挡层含有菲并咪唑衍生物。该菲并咪唑衍生物不仅具有宽能隙、出色的电化学和热力学稳定性，还具有良好的空穴和激子阻隔性，能有效地将空穴或激子限制在量子点层中，不致扩散到量子点层与阴极之间，使器件中的空穴和电子的注入更平衡，从而增大激子的发光效率，提高器件的发光性能。

技术领域

本申请属于显示器件技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管、显示装置和发光光源。

背景技术

众所周知，在量子点发光二极管(Quantum Dots Light-Emitting Diode，QLED)器件中，电子和空穴的注入平衡对该器件实现高效率和长寿命十分关键。常见的QLED器件结构中，电子传输材料一般和量子点的价带匹配良好，从而使电子注入强度远高于空穴注入强度。这种不平衡的电子和空穴注入使得量子点过度充电，引起非辐射俄歇复合，并诱导激子分离，甚至可能引起寄生发射，这样对器件的效率、寿命及色纯度十分不利。

目前，可以通过对电子传输材料如氧化锌进行离子掺杂或界面改性来调节它的能带结构，从而实现QLED器件空穴与电子平衡注入。例如，使用镁掺杂氧化锌的锌镁氧纳米颗粒、铝掺杂氧化锌的锌铝氧纳米颗粒等作为电子传输材料，但是使用这些掺杂方法得到的掺杂氧化锌可能会导致性能优于或低于原有氧化锌即出现性能不稳定的情况，进而影响QLED器件产品的稳定性。

因此，现有技术有待改进。

发明内容

本申请的目的在于提供一种量子点发光二极管、显示装置和发光光源，旨在解决现有量子点发光二极管器件空穴与电子注入不平衡的技术问题。

为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种量子点发光二极管，包括量子点层和与所述量子点层邻接的空穴阻挡层，所述空穴阻挡层含有菲并咪唑衍生物。

本申请提供的量子点发光二极管，其在量子点层邻接含有菲并咪唑衍生物的空穴阻挡层，该菲并咪唑衍生物不仅具有宽能隙、出色的电化学和热力学稳定性，还具有良好的空穴和激子阻隔性，能有效地将空穴或激子限制在量子点层中，不致扩散到量子点层与阴极之间，使器件中的空穴和电子的注入更平衡，从而增大激子的发光效率，提高器件的发光性能。

第二方面，本申请提供一种显示装置，所述显示装置包括本申请上述量子点发光二极管。

本申请提供的显示装置包括本申请特有的量子点发光二极管，因该量子点发光二极管在量子点层邻接含有菲并咪唑衍生物的空穴阻挡层，使得该量子点发光二极管的电子与空穴注入更佳平衡，这样设置有该量子点发光二极管的显示装置具有更好的显示性能。

第三方面，本申请提供一种发光光源，所述发光光源包括本申请上述量子点发光二极管。

本申请提供的发光光源包括本申请特有的量子点发光二极管，因该量子点发光二极管在量子点层邻接含有菲并咪唑衍生物的空穴阻挡层，使得该量子点发光二极管的电子与空穴注入更佳平衡，这样设置有该量子点发光二极管的发光光源具有更好的发光性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一个实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图；

图2是本申请一个实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图；

图3是本申请一个实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图；