[发明专利]量子点发光二极管、显示装置和发光光源

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括量子点层和与所述量子点层邻接的空穴阻挡层，所述空穴阻挡层含有菲并咪唑衍生物。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述菲并咪唑衍生物含有吡啶取代基，

优选地，所述菲并咪唑衍生物还含有苯取代基。

3.如权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述菲并咪唑衍生物选自2-(4-(3-吡啶)苯基)-1-苯基-1H-[9,10-d]菲并咪唑、2-(3-(3-吡啶)苯基)-1-苯基-1H-[9,10-d]菲并咪唑、1-(3-(3-吡啶)苯基)-1-苯基-1H-[9,10-d]菲并咪唑、1-(4-(3-吡啶)苯基)-1-苯基-1H-[9,10-d]菲并咪唑和1,2-二(3-(3-吡啶)苯基)-1-苯基-1H-[9,10-d]菲并咪唑中的至少一种。

4.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴阻挡层由所述菲并咪唑衍生物组成，

优选地，所述空穴阻挡层的厚度为5-20nm。

5.如权利要求1-4任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括电子传输层，所述空穴阻挡层位于所述量子点层与所述电子传输层之间，

优选地，所述电子传输层含有N型金属氧化物和结合在所述N型金属氧化物表面的多支链烷烃，

再优选地，所述量子点发光二极管还包括阴极，所述空穴阻挡层和所述电子传输层位于所述量子点层与所述阴极之间。

6.如权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述N型金属氧化物选自氧化锌、二氧化锆、二氧化钛和二氧化锡等中的至少一种；和/或，

所述多支链烷烃中，主链碳原子个数为5～15个，支链个数为3～13个。

7.如权利要求5所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述多支链烷烃连接有羟基和/或羧基，所述羟基和/或羧基结合在所述N型金属氧化物表面，

优选地，所述多支链烷烃还连接有吸电子基团，

更优选地，所述吸电子基团选自硝基、氯基、氟基、溴基和碘基中的至少一种。

8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至7中任一项所述的量子点发光二极管。

9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为平板显示器。

10.一种发光光源，其特征在于，所述发光光源包括权利要求1至7中任一项所述的量子点发光二极管。