[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其是使用超临界状态的处理流体而使在表面附着有液体的基板干燥的基板处理装置，其中，

该基板处理装置具有：

处理容器，其收纳所述基板；

基板保持部，其在所述处理容器内以使所述表面朝上的方式将所述基板水平地保持；

流体供给部，其向所述处理容器内供给处理流体；

流体排出部，其从所述处理容器排出处理流体；以及

控制部，其至少控制所述流体供给部和所述流体排出部的动作以及由所述基板保持部保持着的所述基板的温度，

所述控制部通过控制所述流体供给部和所述流体排出部的动作而执行如下工序：

向收纳有在所述表面附着有液体的基板的所述处理容器内供给所述处理流体而使所述处理容器内的压力上升到比所述处理流体的临界压力高的处理压力的工序；以及

在所述处理容器内的压力上升到所述处理压力之后，一边将所述处理容器内的压力维持在使所述处理流体维持超临界状态的压力，一边向所述处理容器供给所述处理流体，并且从所述处理容器排出所述处理流体的工序，

使所述处理容器内的压力上升到所述处理压力的工序包括如下工序：

使所述处理容器内的压力上升到比所述临界压力高、且比所述处理压力低的第1压力的工序；以及

使所述处理容器内的压力从所述第1压力上升到所述处理压力的工序，

所述控制部在使所述处理容器内的压力升压到所述第1压力的工序中将所述基板的温度控制为第1温度，

所述控制部在使所述处理容器内的压力升压到所述处理压力的工序中将所述基板的温度控制为比所述第1温度高的第2温度。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

所述流体供给部具有：

第1路径，其以第1温度向所述处理容器内供给所述处理流体；以及

第2路径，其以比所述第1温度高的第2温度向所述处理容器内供给所述处理流体。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，

该基板处理装置具有：

第1气化器，其设置于所述第1路径，使所述处理流体成为所述第1温度的气体；以及

第2气化器，其设置于所述第2路径，使所述处理流体成为所述第2温度的气体。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

所述流体供给部具有：

第1流体供给部，其从由所述基板保持部保持着的所述基板的下方，向所述处理容器内供给所述处理流体；以及

第2流体供给部，其从由所述基板保持部保持着的所述基板的侧方，向所述处理容器内供给所述处理流体，

所述第1流体供给部包括所述第2路径的一部分和所述第1路径，

所述第2流体供给部包括所述第2路径的另一部分。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，

该基板处理装置具有调温元件，该调温元件设置于所述基板保持部，由所述控制部控制。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述流体供给部具有所述处理流体的供给管线和设置于所述供给管线的加热器，

所述控制部利用所述加热器的控制调整向所述处理容器内供给的所述处理流体的温度从而控制所述基板的温度。

7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，

所述流体供给部具有所述处理流体的供给管线和设置于所述供给管线的加热器，

所述控制部利用所述加热器的控制调整向所述处理容器内供给的所述处理流体的温度从而控制所述基板的温度。