[发明专利]光侦测元件在审
申请号: | 202011293807.0 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN112820786A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 李世昌;林宣乐;陈义宏;苏初日;黄照舜 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/102 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侦测 元件 | ||
本发明公开一种光侦测元件包含一第一半导体层、一吸收结构、一第二半导体层、一阻挡层;吸收结构位于第一半导体层上,并具有一第一传导带、一第一价带以及一第一带隙;第二半导体层位于吸收结构上,并具有一第二传导带、一第二价带以及一第二带隙;阻挡层位于吸收结构和第二半导体层之间,并具有一第三传导带、一第三价带以及一第三带隙;其中,第三传导带大于第二传导带,或第三价带小于第二价带。
技术领域
本发明涉及一种光侦测(检测)元件,尤其是涉及一种包含载流子阻挡层的光侦测元件。
背景技术
随着科技发展,感测元件的应用越来越广,例如:家用、车用、医疗、消费性电子等。目前感测元件是利用光学多层膜过滤杂讯光,以使感测元件能准确地仅对特定光做响应。然而,光学多层膜需要额外的制作成本,且其对于斜向入射的杂讯光阻挡效果不佳,因此,如何有效地移除杂讯光,提高光侦测元件的准确性,仍是目前努力的目标。
发明内容
一种光侦测元件包含一第一半导体层、一吸收结构、一第二半导体层及一阻挡层。吸收结构位于第一半导体层上,第二半导体层位于吸收结构上,阻挡层位于吸收结构和第二半导体层之间。吸收结构具有一第一传导带、一第一价带以及一第一带隙,第二半导体层具有一第二传导带、一第二价带以及一第二带隙,阻挡层具有一第三传导带、一第三价带以及一第三带隙;其中,第三传导带大于第二传导带,或第三价带小于第二价带。
一种感测模块包含一承载体以及一如前所述的光侦测元件位于承载体上。
附图说明
图1A为本发明的一实施例的光侦测元件的上视示意图;
图1B为图1A沿着AA’线的剖面示意图;
图2为本发明的一实施例的光侦测元件的剖面示意图;
图3为本发明的一实施例的光侦测元件的剖面示意图;
图4为本发明的一实施例的光侦测元件的剖面示意图;
图5为本发明的一实施例的光侦测元件的剖面示意图;
图6为本发明的一实施例的感测模块的剖面示意图。
符号说明
100、200、300、400 500 光侦测元件
11 基板
121 第一半导体层
122 吸收结构
123 第二半导体层
124 阻挡结构
125 接触结构
126 第三半导体层
127 反射结构
128 接合结构
13 第一电极
14 第二电极
16 改质区
20 感测模块
210 承载体
211 光发射元件
212 光侦测元件
213 第一封胶结构
214 第二封胶结构
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的