[发明专利]光侦测元件

权利要求书

1.一种光侦测元件，其特征在于，包含：

第一半导体层；

吸收结构，位于该第一半导体层上，并具有第一传导带、第一价带以及第一带隙；

第二半导体层，位于该吸收结构上，并具有第二传导带、第二价带以及第二带隙；以及

阻挡层，位于该吸收结构和该第二半导体层之间，并具有第三传导带、第三价带以及第三带隙；

其中，该第三传导带大于该第二传导带，或该第三价带小于该第二价带。

2.如权利要求1所述的光侦测元件，其中，该第三带隙大于该第二带隙。

3.如权利要求1所述的光侦测元件，其中，该第二半导体层为InP。

4.如权利要求1所述的光侦测元件，其中，该阻挡层具有厚度介于10nm和1um之间。

5.如权利要求1所述的光侦测元件，还包含基板以及位于该基板和该第一半导体层之间的反射结构。

6.如权利要求1所述的光侦测元件，还包含改质区，形成于该阻挡层中。

7.如权利要求1所述的光侦测元件，其中，该阻挡层和该第二半导体层具有相同的导电型态。

8.如权利要求1所述的光侦测元件，其中，该第一半导体层和该第二半导体层具有相同的导电型态。

9.一种感测模块，其特征在于，包含：

承载体；

如权利要求1所述的光侦测元件，位于该承载体上。

10.如权利要求9所述的感测模块，还包含封胶结构，覆盖该光侦测元件。