[发明专利]在深孔中形成薄膜层的方法及半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种在深孔中形成薄膜层的方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供形成有所述深孔的基底并将所述基底置入沉积室；

采用原子层沉积工艺向沉积室内通入反应源，持续若干时间；

停止向所述沉积室内通入反应源，并密闭所述沉积室若干时间，使得未发生反应的反应源能够朝向深孔的底部方向流动，以在所述深孔侧壁形成薄膜层。

2.根据权利要求1所述的在深孔中形成薄膜层的方法，其特征在于，所述沉积室设置有进气口及抽气阀，反应源能够通过所述进气口进入所述沉积室内，沉积室内的气体能够通过所述抽气阀排出，密闭所述沉积室的方法是：关闭所述进气口及所述抽气阀。

3.根据权利要求1所述的在深孔中形成薄膜层的方法，其特征在于，密闭所述沉积室的时间设置为5～20秒。

4.根据权利要求1所述的在深孔中形成薄膜层的方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺向沉积室内通入反应源的步骤包括：

通入第一反应源，持续若干时间；

停止通入所述第一反应源，并密闭所述沉积室，持续若干时间，以在所述深孔内壁形成第一单层；

向所述沉积室内通入第二反应源，并持续若干时间；

停止通入所述第二反应源，并密闭所述沉积室，持续若干时间，所述第二反应源与所述第一单层发生反应，以在所述深孔侧壁形成所述薄膜层。

5.根据权利要求4所述的在深孔中形成薄膜层的方法，其特征在于，在停止通入所述第一反应源，并密闭所述沉积室，持续若干时间的步骤后，还包括吹扫所述沉积室，以去除残余的第一反应源及反应过程中产生的副产物的步骤。

6.根据权利要求4所述的在深孔中形成薄膜层的方法，其特征在于，在停止通入所述第二反应源，并密闭所述沉积室，持续若干时间，所述第二反应源与所述第一单层发生反应，以在所述深孔侧壁形成所述薄膜层的步骤后，吹扫所述原子层沉积室，以去除残余的第二反应源及副产物。

7.根据权利要求6所述的在深孔中形成薄膜层的方法，其特征在于，在吹扫所述原子层沉积室之前，所述第二反应源与所述第一单层的反应达到饱和。

8.根据权利要求4所述的在深孔中形成薄膜层的方法，其特征在于，在形成所述第一单层的步骤中，所述第一反应源在所述深孔内壁吸附形成所述第一单层，在所述第二反应源与所述第一单层发生反应，以在所述深孔侧壁形成所述薄膜层的步骤中，所述第二反应源与所述第一单层发生置换反应，以形成所述薄膜层。

9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基底；

在所述基底中形成深孔；

至少循环一次如权利要求1～8任意一项所述的在深孔中形成薄膜层的方法，以在所述深孔侧壁形成包括至少一层薄膜层的薄膜结构。

10.根据权利要求 9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述深孔为半导体器件中的沟道孔。