[发明专利]声波器件的制作方法及声波器件

说明书

本公开实施例公开了一种声波器件的制作方法及声波器件，所述声波器件包括谐振结构，所述方法包括：在衬底表面形成围绕器件区的连线层；其中，所述器件区用于设置所述谐振结构；在所述连线层表面形成导电的支撑结构；其中，所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度；在所述支撑结构的顶部形成覆盖所述器件区的封装层；其中，所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成围绕所述器件区的密封腔体。

技术领域

本公开实施例涉及声波器件领域，特别涉及一种声波器件的制作方法及声波器件。

背景技术

由于声波遇到空气或真空界面会发生全反射，将能量毫无损失的反射回来，因此，采用声波技术设计的滤波器等声波器件拥有极为优异的性能，并在诸如移动电话等通信设备中被广泛使用。

为得到所虚的空气或者真空界面，声波器件需要用到晶圆级封装技术。相关技术中，通常通过如下方法来制备声波器件晶圆级封装结构：提供一片载体晶圆和一片盖帽晶圆，将声波器件放置在载体晶圆上，并在盖帽晶圆对应声波器件的位置处进行挖空处理；然后，在载体晶圆和盖帽晶圆上放置用于键合的材料，并在高温和真空环境下键合载体晶圆和盖帽晶圆，以形成密闭的空腔；之后，采用穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术将管脚引出。但是，由于晶圆键合和TSV技术的实现工艺极其复杂，对设备和工艺的精度要求很高，制造成本昂贵，导致声波器件晶圆级封装结构的制备过程变得繁琐、复杂，且成本较高。

综上所述，如何在降低声波器件晶圆级封装结构的制备成本的同时，提高对于声波器件封装质量，成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种声波器件的制作方法及声波器件。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种声波器件的制作方法，所述声波器件包括谐振结构，所述方法包括：

在衬底表面形成围绕器件区的连线层；其中，所述器件区用于设置所述谐振结构；

在所述连线层表面形成导电的支撑结构；其中，所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度；

在所述支撑结构的顶部形成覆盖所述器件区的封装层；其中，所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成围绕所述器件区的密封腔体。

在一些实施例中，在形成所述支撑结构之前，所述方法还包括：

在所述器件区依次形成第一牺牲层、覆盖所述第一牺牲层的第一电极层；覆盖所述第一电极层的压电层、覆盖所述压电层的第二电极层，以及覆盖所述第二电极层的调整层；

在形成所述支撑结构之后，且在形成所述支撑层之前，所述方法还包括：

去除所述第一牺牲层，基于所述第一牺牲层的形貌在所述第一电极层和所述衬底表面之间形成第一空腔，以形成所述谐振结构的反射结构；修整所述调整层。

在一些实施例中，在形成所述支撑结构之前，所述方法还包括：

在所述器件区内，刻蚀所述衬底表面，以在所述衬底表面形成凹槽；形成填充所述凹槽的第二牺牲层；依次形成覆盖所述第二牺牲层的第一电极层、覆盖所述第一电极层的压电层、覆盖所述压电层的第二电极层以及覆盖所述第二电极层的调整层；

在形成所述支撑结构之后，且在形成所述支撑层之前，所述方法还包括：

去除所述第二牺牲层，基于所述第二牺牲层的形貌在所述第一电极层和所述衬底表面之间形成第二空腔，以形成所述谐振结构的反射结构；修整所述调整层。

在一些实施例中，在形成所述支撑结构之前，所述方法还包括：