[发明专利]声波器件的制作方法及声波器件

权利要求书

1.一种声波器件的制作方法，其特征在于，所述声波器件包括谐振结构，所述方法包括：

在衬底表面形成所述衬底表面的围绕器件区的连线层；其中，所述器件区用于设置所述谐振结构；

在所述连线层表面形成导电的支撑结构；其中，所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度；

在所述支撑结构的顶部形成覆盖所述器件区的封装层；其中，所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成围绕所述器件区的密封腔体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在形成所述支撑结构之前，所述方法还包括：

在所述器件区依次形成第一牺牲层、覆盖所述第一牺牲层的第一电极层；覆盖所述第一电极层的压电层、覆盖所述压电层的第二电极层，以及覆盖所述第二电极层的调整层；

在形成所述支撑结构之后，且在形成所述封装层之前，所述方法还包括：

去除所述第一牺牲层，基于所述第一牺牲层的形貌在所述第一电极层和所述衬底表面之间形成第一空腔，以形成所述谐振结构的反射结构；修整所述调整层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在形成所述支撑结构之前，所述方法还包括：

在所述器件区内，刻蚀所述衬底表面，以在所述衬底表面形成凹槽；形成填充所述凹槽的第二牺牲层；依次形成覆盖所述第二牺牲层的第一电极层、覆盖所述第一电极层的压电层、覆盖所述压电层的第二电极层以及覆盖所述第二电极层的调整层；

在形成所述支撑结构之后，且在形成所述封装层之前，所述方法还包括：

去除所述第二牺牲层，基于所述第二牺牲层的形貌在所述第一电极层和所述衬底表面之间形成第二空腔，以形成所述谐振结构的反射结构；修整所述调整层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述支撑结构之前，所述方法还包括：

在所述衬底表面的器件区依次形成所述谐振结构的反射结构、覆盖所述反射结构的第一电极层、覆盖所述第一电极层的压电层、覆盖所述压电层的第二电极层、以及覆盖所述第二电极层的调整层；修整所述调整层。

5.一种声波器件，其特征在于，包括：

衬底；

谐振结构，位于所述衬底表面；

围绕所述谐振结构的连线层，位于所述衬底表面；

导电的支撑结构，位于所述连线层表面，且围绕所述谐振结构；其中，所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度；

封装层，位于所述支撑结构的顶部，且覆盖所述谐振结构；

其中，所述谐振结构，位于所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成的密封腔体内。

6.根据权利要求5所述的声波器件，其特征在于，所述谐振结构包括：

依次层叠设置的反射结构、第一电极层、调整层、第二电极层和调整层；其中，所述反射结构位于所述第一电极层和所述衬底表面之间。

7.根据权利要求6所述的声波器件，其特征在于，所述反射结构包括：

第一空腔，位于所述第一电极层和所述衬底表面之间；

所述第一空腔，是在形成所述支撑结构之后，且在形成所述封装层之前，通过去除位于所述衬底表面与所述第一电极层之间的第一牺牲层形成的；

或者，

所述第一空腔，是在形成所述支撑结构之前，通过去除位于所述衬底表面与所述第一电极层之间的第一牺牲层形成的。

8.根据权利要求6所述的声波器件，其特征在于，所述反射结构包括：

所述衬底表面向下凹陷形成的第二空腔，位于所述第一电极层和所述衬底表面之间；

所述第二空腔，是在形成所述支撑结构之后，且在形成所述封装层之前，通过去除填充在所述衬底表面向下凹陷的凹槽中的第二牺牲层形成的；

或者，

所述第二空腔，是在形成所述支撑结构之前，通过去除填充在所述衬底表面向下凹陷的凹槽中的第二牺牲层形成的。