[发明专利]芯片防溢胶封装方法有效
申请号: | 202011221036.4 | 申请日: | 2020-11-04 |
公开(公告)号: | CN112331568B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 陈建超 | 申请(专利权)人: | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 梁馨怡 |
地址: | 266104 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 防溢胶 封装 方法 | ||
1.一种芯片防溢胶封装方法,其特征在于,所述芯片防溢胶封装方法包括如下步骤:
提供一电路基板,其中,所述电路基板上具有裸露的芯片,所述芯片上背离所述电路基板的裸露端具有台阶;
将分离膜压在所述芯片的裸露端,所述分离膜将所述台阶覆盖并密封,以使所述芯片的裸露端嵌设于所述分离膜;
向所述分离膜与所述电路基板之间注塑塑封料,直至所述塑封料撑起所述分离膜并填充于将所述台阶内,以使所述分离膜平铺于所述芯片的裸露端;
所述向所述分离膜与所述电路基板之间注塑塑封料,直至所述塑封料撑起所述分离膜并填充于将所述台阶内,以使所述分离膜平铺于所述芯片的裸露端的步骤包括:
在第一预设合模压力下以第一预设注塑压力向所述分离膜与所述电路基板之间注塑塑封料,直至所述塑封料注塑至所述台阶边缘处;
在第二预设合模压力下以第二预设注塑压力向所述分离膜与所述电路基板之间继续注塑塑封料,直至所述塑封料撑起所述分离膜并填充于将所述台阶内,以使所述分离膜平铺于所述芯片的裸露端;
其中,所述第一预设合模压力小于所述第二预设合模压力;所述第一预设注塑压力小于所述第二预设注塑压力。
2.如权利要求1所述的芯片防溢胶封装方法,其特征在于,所述第一预设合模压力为1000MPA~3000MPA;所述第二预设合模压力为3000MPA~8000 MPA。
3.如权利要求1所述的芯片防溢胶封装方法,其特征在于,所述第一预设注塑压力为10MPA~80MPA;所述第二预设注塑压力为80MPA~200MPA。
4.如权利要求1至3中任一项所述的芯片防溢胶封装方法,其特征在于,所述电路基板上具有多个间隔设置的所述芯片;
所述向所述分离膜与所述电路基板之间注塑塑封料,直至所述塑封料撑起所述分离膜并填充于将所述台阶内,以使所述分离膜平铺于所述芯片的裸露端的步骤包括:
向多个所述芯片之间的间隙处注塑塑封料,且塑封料注塑于所述分离膜与所述电路基板之间,直至所述塑封料撑起所述分离膜并填充于各所述芯片的所述台阶内,以使所述分离膜平铺于各所述芯片的裸露端,所述塑封料将多个所述芯片一一隔开。
5.如权利要求1至3中任一项所述的芯片防溢胶封装方法,其特征在于,所述台阶为对所述芯片的裸露端切割后在所述芯片的裸露端边缘处形成的环形台阶。
6.如权利要求5所述的芯片防溢胶封装方法,其特征在于,所述台阶的深度为5um~500um,所述台阶的宽度为5um~300um。
7.如权利要求1至3中任一项所述的芯片防溢胶封装方法,其特征在于,所述分离膜的厚度为10um~150um。
8.如权利要求1至3中任一项所述的芯片防溢胶封装方法,其特征在于,所述分离膜为RM分离膜,所述基板为复合柔性材料制件,所述芯片为凸点芯片或铝垫芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造