[发明专利]晶圆制造方法及其制成的光学生物识别模组和电子设备

说明书

本发明公开了一种晶圆制造方法，该方法包括光阑的制造方法，该光阑的制造方法包括以下步骤：S1：取芯片基体；S2：在芯片基体上形成对准标记；S3：在芯片基体和对准标记上覆盖一层黑色光刻胶薄膜层，该黑色光刻胶薄膜层可同时截止可见光和红外光；S4：基于对准标记进行光阑图形对准；S5：曝光显影；S6：形成带光阑图形的光阑层。本发明制作出的光阑层形成的光学模组光信噪比提升，出图更加清晰，采图效果更好，提升指纹模组识别正确率。

技术领域

本发明电子领域，具体涉及一种晶圆制造方法、芯片、光学生物识别模组和电子设备。

背景技术

传统的晶圆制造工艺制作光阑时，通过掩膜蚀刻的方式在芯片基底1上制成光阑层(制作后的结构如图1)。光阑层中的光阑2阻挡可见光，但允许红外光透过。制作时，为了光阑层的制作对位准确，在制作光阑层前，在芯片基底1上刻蚀对位标记光栅凹槽3。

传统光阑层形成的光学模组的光信噪比较低，出图较为模糊，采图效果较差，指纹模组识别正确率较低。

发明内容

为了解决上述缺陷，一方面，本发明提供一种晶圆制造工艺制作方法，该晶圆制造工艺制作方法制作出的光阑层形成的光学模组光信噪比提升，出图更加清晰，采图效果更好，提升指纹模组识别正确率。

一种晶圆制造方法，该方法包括光阑的制造方法，该光阑的制造方法包括以下步骤：

S1：取芯片基体；

S2：在芯片基体上形成对准标记；

S3：在芯片基体和对准标记上覆盖一层黑色光刻胶薄膜层，该黑色光刻胶薄膜层可同时截止可见光和红外光；

S4：基于对准标记进行光阑图形对准；

S5：曝光显影；

S6：形成带光阑图形的光阑层。

可选地，所述S3中，覆盖为涂布的方式覆盖或旋转涂胶的方式覆盖。

可选地，所述S2中，在芯片基体上形成的对准标记的顶面高于芯片基体的顶面，S4基于对准标记进行光阑图形对准是基于对准标记处的起伏形貌进行对准。

可选地，所述S2中，在芯片基体上形成对准标记是通过在芯片基体覆盖一层光刻胶，利于光刻工艺形成的对准标记。

可选地，所述覆盖为涂布的方式覆盖或旋转涂胶的方式覆盖。

可选地，所述黑色的薄膜采用可同时截止可见光和红外光的材料制成的。

可选地，所述黑色的薄膜采用的材料在形成的膜厚≥1um时，780nm-1000nm透过滤小于0.5％。

一方面，本发明还提供一种芯片。

一种芯片，包括：

芯片基体；以及

光阑层，设置在芯片基体上，由若干光阑组成，每一光阑能同时截止可见光和红外光。

可选地，所述芯片还包括位于光阑层外的对准标记，该对准标记为高于芯片基体顶面的光刻胶光栅凸块。

一方面，本发明还提供一种光学生物识别模组。

一种光学生物识别模组，所述光学生物识别模组包括上述的芯片。

一方面，本发明还提供一种电子设备。

一种电子设备，所述电子设备包括上述的光学生物识别模组。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

本发明制作出的光阑层形成的光学模组光信噪比提升，出图更加清晰，采图效果更好，提升指纹模组识别正确率。