[发明专利]晶圆制造方法及其制成的光学生物识别模组和电子设备

权利要求书

1.一种晶圆制造方法，该方法包括光阑的制造方法，该光阑的制造方法包括以下步骤：

S1：取芯片基体；

S2：在芯片基体上形成对准标记；

S3：在芯片基体和对准标记上覆盖一层黑色光刻胶薄膜层，该黑色光刻胶薄膜层可同时截止可见光和红外光；

S4：基于对准标记进行光阑图形对准；

S5：曝光显影；

S6：形成带光阑图形的光阑层。

2.根据权利要求1所述的晶圆制造方法，其特征在于：所述S3中，覆盖为涂布的方式覆盖或覆盖为旋转涂胶的方式覆盖。

3.根据权利要求1或2任一所述的晶圆制造方法，其特征在于：所述S2中，在芯片基体上形成的对准标记的顶面高于芯片基体的顶面，S4基于对准标记进行光阑图形对准是基于对准标记处的起伏形貌进行对准。

4.根据权利要求3所述的晶圆制造方法，其特征在于：所述S2中，在芯片基体上形成对准标记是通过在芯片基体覆盖一层光刻胶，利于光刻工艺形成的对准标记。

5.根据权利要求4所述的晶圆制造方法，其特征在于：所述覆盖为涂布的方式覆盖或覆盖为旋转涂胶的方式覆盖。

6.根据权利要求1-5任一所述的晶圆制造方法，其特征在于：所述黑色的薄膜采用可同时截止可见光和红外光的材料制成的；可选地，所述黑色光刻胶薄膜层采用的材料在形成的膜厚≥1um时，780nm-1000nm透过滤小于0.5％。

7.一种芯片，其特征在于，包括：

芯片基体；以及光阑层，设置在芯片基体上，由若干光阑组成，每一光阑能同时截止可见光和红外光。

8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于：所述芯片还包括位于光阑层外的对准标记，该对准标记为高于芯片基体顶面的光刻胶光栅凸块。

9.一种光学生物识别模组，其特征在于：所述光学生物识别模组包括权利要求7或8任一所述的芯片。

10.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备包括权利要求9所述的光学生物识别模组。