[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011215163.3 | 申请日: | 2020-11-04 |
公开(公告)号: | CN112802867A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 李承珉;金振永;朴常镐;梁泰勳;李星珍;李镇禹 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本公开涉及显示装置。该显示装置包括:衬底;显示元件层,设置在衬底的第一表面上,并且包括发射光的发光元件;以及像素电路层,设置在显示元件层上,并且包括电连接到发光元件的晶体管。显示元件层包括电连接到发光元件的第一端的第一接触电极以及电连接到发光元件的第二端的第二接触电极。像素电路层包括设置在显示元件层上并与发光元件重叠的反射层。第一接触电极和第二接触电极中的一个电连接到晶体管。反射层将从发光元件发射的光朝向衬底的第二表面反射。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年11月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0145742号的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
实施方式涉及一种显示装置。
背景技术
发光二极管(在下文中,称为“LED”)即使在不良的环境条件下也可以具有相对令人满意的耐用性,并且在其寿命和亮度方面可以具有优异的性能。最近,对LED对于各种显示装置的适用性的研究变得明显更加活跃。
作为这种研究的一部分,正在开发使用无机晶体结构(例如,通过生长氮化物基半导体获得的结构)来制造具有对应于微米级或纳米级的小尺寸的杆型LED的技术。例如,可以制造尺寸足够小以形成自发射显示装置的像素的杆型LED。
应当理解,该技术背景部分旨在部分地提供对于理解该技术有用的背景。然而,该技术背景部分也可以包括在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的思想、构思或认识。
发明内容
实施方式涉及一种具有能够引起有效光发射的结构以及简化的制造工艺的显示装置。
实施方式可以提供如下的显示装置,其包括:衬底;显示元件层,设置在衬底的第一表面上并且包括可以发射光的发光元件;以及像素电路层,设置在显示元件层上并且包括电连接到发光元件的晶体管。显示元件层可以包括电连接到发光元件的第一端的第一接触电极以及电连接到发光元件的第二端的第二接触电极。像素电路层可以包括设置在显示元件层上并且与发光元件重叠的反射层。第一接触电极和第二接触电极中的一个可以电连接到晶体管。反射层可以将从发光元件发射的光朝向衬底的第二表面反射。
在实施方式中,显示元件层可以包括绝缘层,绝缘层设置在衬底上并且包括开口,第一接触电极和第二接触电极中的一个的一部分可以通过开口暴露。第一接触电极和第二接触电极中的一个可以通过开口电连接到晶体管。
在实施方式中,显示元件层可以包括:第一电极,设置在第一接触电极和衬底之间,并且与第一接触电极电绝缘;以及第二电极,设置在第二接触电极和衬底之间,并且与第二接触电极电绝缘。第一电极和第二电极可以彼此间隔开,且发光元件设置在第一电极和第二电极之间。
在实施方式中,显示元件层可以包括:第一透明电极,设置在第一电极和衬底之间,并且电连接到第一电极;以及第二透明电极,设置在第二电极和衬底之间,并且电连接到第二电极。第一透明电极和第二透明电极可以彼此间隔开,且发光元件设置在第一透明电极和第二透明电极之间。
在实施方式中,第一透明电极和第二透明电极中的每一个的透光率可以大于第一电极和第二电极中的每一个的透光率。
在实施方式中,第一电极和第二电极中的每一个的电阻值可以小于第一透明电极和第二透明电极中的每一个的电阻值。
在实施方式中,显示元件层可以包括:堤部,设置在衬底上并且彼此间隔开,且发光元件设置在堤部之间;以及第一电极和第二电极,设置在堤部上并且彼此间隔开,且发光元件设置在第一电极和第二电极之间。
在实施方式中,第一接触电极可以设置在第一电极上并电连接到第一电极,且第二接触电极可以设置在第二电极上并电连接到第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的