[发明专利]电致发光器件和包括其的显示设备

说明书

公开了电致发光器件和包括其的显示设备。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，其中所述发光层包括设置在所述第一电极侧上并且包含第一量子点的第一发光层、以及设置在所述第二电极侧上并且包含第二量子点和n型金属氧化物的第二发光层。

对相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2019年10月31日提交的韩国专利申请No.10-2019-0137993和于2020年10月30日提交的韩国专利申请No.10-2020-0142938的优先权和权益，将其全部内容通过引用引入本文中。

技术领域

公开了电致发光器件和包括其的显示设备。

背景技术

量子点是具有约几纳米至几十纳米的直径的半导体材料的纳米晶体，其呈现出量子限制效应。与通常使用的荧光体相比，量子点产生在窄的波长区域内的更强的光。当被激发的电子从导带跃迁到价带时，量子点发射光，并且波长取决于颗粒尺寸而变化，即使是在相同的材料中。由于量子点以较小的颗粒尺寸发射较短波长的光，因此量子点可通过调节尺寸而提供在合乎需要的波长区域内的光。

换言之，与使用包括磷光和/或荧光材料的发光层的有机发光二极管相比，包括量子点的发光层以及包括其的各种类型的电子器件可通常节省制造成本，并且可通过改变量子点的尺寸来发射合乎需要的颜色，而无需在发光层中使用其它有机材料来发射其它颜色的光。

包括量子点的发光层的发光效率由量子点的量子效率、电荷载流子的平衡、光提取效率等决定。特别地，为了改善量子效率，激子可被限制在发光层中，但是当激子因多种因素而未被限制在发光层中时，其可引起问题例如激子猝灭。

发明内容

实施方式提供具有改善的发光效率和寿命的电致发光器件以及包括其的显示设备。

根据一种实施方式，电致发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；其中所述发光层包括设置在所述第一电极侧上并且包含第一量子点的第一发光层、以及设置在所述第二电极侧上并且包含第二量子点和n型金属氧化物的第二发光层。

所述第二量子点可发射属于预定波长区域的第一种光，和可以基于所述第二发光层的总重量的大于约0重量％且小于或等于约20重量％的量包括所述n型金属氧化物。

所述n型金属氧化物可包括如下金属的氧化物：所述金属包括锌(Zn)、镁(Mg)、锡(Sn)、锆(Zr)、钛(Ti)、铝(Al)、或其组合。

所述n型金属氧化物可分散在所述第二发光层中。

所述n型金属氧化物可包括附着(连接)至其表面的至少一部分的疏水性有机材料。

所述n型金属氧化物的平均颗粒直径可为约1nm-约10nm。

所述第一发光层可进一步包括p型半导体。

所述p型半导体可包括p型单分子有机半导体、p型氧化物半导体、或其组合。

可以基于所述第一发光层的总重量的大于约0重量％且小于或等于约20重量％的量包括所述p型有机材料。

所述发光层可具有大于约0.20且小于约0.56的电荷平衡因子，其为空穴传输能力(HT)对电子传输能力(ET)的比率(HT/ET)。

所述发光层可具有约10nm-约60nm的厚度。

所述第一量子点和所述第二量子点的至少一种可包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和包括第二半导体纳米晶体并且设置在所述芯上的壳，所述第二半导体纳米晶体具有与所述第一半导体纳米晶体不同的组成。