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[发明专利]电致发光器件和包括其的显示设备-CN202011201636.4在审
发明人：李熙在;韩文奎;金星祐;金泰豪;朴建洙;张银珠;丁大荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：公开了电致发光器件和包括其的显示设备。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，其中所述发光层包括设置在所述第一电极侧上并且包含第一量子点的第一发光层、以及设置在所述第二电极侧上并且包含第二量子点和n型金属氧化物的第二发光层。
电致发光器件包括显示设备

[发明专利]量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件-CN202010895937.5在审
发明人： 金星祐;J.A.金;金泰亨;朴建洙;元裕镐;李晶姬;张银珠;章效淑;韩用锡;郑希在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉，发射蓝色光，并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样，并且在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。
量子制造方法包括点群电致发光器件

[发明专利]发光器件、包括其的显示设备、及其制造方法-CN202010640435.8在审
发明人：李熙在;金星祐;张银珠;丁大荣;韩文奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及发光器件、包括其的显示设备、及其制造方法。发光器件包括：第一电极和具有面向所述第一电极的表面的第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点(例如，多个量子点)的发射层；以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子辅助层。所述电子辅助层包括包含第一金属氧化物的第一层、和设置在所述第一层上并且包括第二金属氧化物的第二层。当通过电子显微镜法分析测定时，所述第二层和所述第二电极之间的界面的粗糙度小于约10nm。所述第二层的导带底能级与所述第二电极的功函之间的差的绝对值可小于或等于约0.5eV，和所述第一层的导带底能级可小于所述第二层的导带底能级。
发光器件包括显示设备及其制造方法

[发明专利]量子点器件和电子设备-CN201910835922.7在审
发明人： 金星祐;朴建洙;丁大荣;张银珠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括：彼此面对的阳极和阴极；在所述阳极和所述阴极之间的量子点层；在所述阳极和所述量子点层之间的空穴传输层，所述空穴传输层配置成提高从所述阳极到所述量子点层的空穴传输性质；在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子传输层，所述无机电子传输层配置成提高从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质；以及在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子控制层，所述无机电子控制层配置成降低从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质。所述电子设备包括所述量子点器件。
量子器件电子设备

[发明专利]量子点器件和量子点-CN201910785624.1在审
发明人： J.A.金;元裕镐;金星祐;金泰亨;李晶姬;张银珠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：公开量子点器件和量子点。所述量子点包括：芯，所述芯包括包含锌硫属化物的第一半导体纳米晶体；和设置在所述芯上的壳，所述壳包括锌、硫、和硒，其中所述量子点具有大于10nm的平均颗粒尺寸，其中所述量子点不包括镉，和其中所述量子点的光致发光峰存在于大于或等于约430nm且小于或等于约470nm的波长范围内。
量子器件

[发明专利]量子点器件和显示设备-CN201910520226.7在审
发明人：朴建洙;金泰豪;金星祐;金璨秀;金泰亨;张银珠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：公开了量子点器件和显示设备，所述量子点器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、以及设置在所述量子点层和所述第二电极之间的电子辅助层，其中所述电子辅助层包括由化学式1表示的电子传输材料和能够降低所述电子辅助层的电子迁移率的电子控制材料。在化学式1中，M和x与详细的说明书中描述的相同。化学式1Zn
第二电极电子辅助量子点器件第一电极量子点层电子传输材料电子迁移率彼此面对电子控制显示设备

[发明专利]电致发光器件、其形成方法和包括其的显示装置-CN201910192538.X在审
发明人： 金星祐;金璨秀;金泰豪;朴建洙;张银珠;J.A.金;金泰亨;李晶姬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：提供电致发光器件、其形成方法和包括其的显示装置。电致发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在第一电极和第二电极之间并包括发光颗粒的发射层；设置在第一电极和发射层之间的电子传输层；以及设置在第二电极和发射层之间的空穴传输层，其中电子传输层包括无机氧化物颗粒和金属有机化合物，所述金属有机化合物或所述金属有机化合物的热分解产物可溶于非极性溶剂中。
金属有机化合物电致发光器件第二电极第一电极发射层电子传输层显示装置无机氧化物颗粒非极性溶剂空穴传输层热分解产物彼此面对发光颗粒可溶

[发明专利]电致发光器件和包括其的显示装置-CN201910184028.8在审
发明人：金泰豪;金星祐;张银珠;丁大荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：公开了电致发光器件和包括其的显示装置。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括多个发光颗粒的发射层、设置在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输层、以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输层，其中所述电子传输层包括设置在所述发射层上并且包含多个无机纳米颗粒的无机层和直接设置在所述无机层的在与所述发射层相反的侧上的上表面的至少一部分上的有机层，其中所述有机层的功函高于所述无机层的功函。
发射层电致发光器件第二电极第一电极无机层电子传输层显示装置有机层功函无机纳米颗粒空穴传输层彼此面对发光颗粒直接设置上表面

[发明专利]量子点以及包括其的电致发光器件和电子器件-CN201910180450.6在审
发明人：元裕镐;金星祐;J.A.金;李晶姬;金泰亨;张银珠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及量子点以及包括其的电致发光器件和电子器件。量子点包括：包括包含锌、碲和硒的第一半导体纳米晶体材料的芯；以及设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫，其中所述量子点不包括镉，并且在所述量子点中，硫相对于硒的摩尔比小于或等于约2.4:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括其的电子器件。
量子点半导体纳米晶体电子器件电致发光器件摩尔比制造

[发明专利]量子点、其制造方法、电致发光器件和显示设备-CN201910180460.X在审
发明人：金泰亨;李晶姬;金星祐;J.A.金;元裕镐;张银珠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及量子点、其制造方法、电致发光器件和显示设备。量子点包括：包括包含锌、碲和硒的第一半导体纳米晶体材料的芯；以及设置在所述芯上(例如，直接设置在所述芯上)并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳，其中所述量子点不包括镉，其中所述量子点的尺寸大于或等于约10纳米(nm)且所述量子点包括至少四个突起。还公开了其制造方法和包括其的电子器件。
量子点半导体纳米晶体电致发光器件显示设备制造电子器件直接设置突起

[发明专利]半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件-CN201910140377.X在审
发明人： J.A.金;元裕镐;金星祐;金泰亨;李晶姬;张银珠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件。所述半导体纳米晶体颗粒包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；包围所述芯的第一壳，所述第一壳包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括与所述第一半导体纳米晶体不同的组成；包围所述第一壳的第二壳，所述第二壳包括第三半导体纳米晶体，所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体不同的组成，其中所述第一半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第二半导体纳米晶体的能带隙小于所述第一半导体纳米晶体的能带隙和小于所述第三半导体纳米晶体的能带隙；和其中所述半导体纳米晶体颗粒不包括镉。
半导体纳米晶体能带隙发光器件量子点包围制造

[发明专利]量子点、量子点-聚合物复合物、和显示装置-CN201910027235.2在审
发明人：朴英奭;张银珠;田信爱;元那渊;安珠娫;金星祐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C09K11/70 文献下载
摘要：公开量子点、量子点‑聚合物复合物、和显示装置，所述量子点包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上并且包括至少两个层的多层壳。所述量子点不包括镉；所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，所述多层壳包括：围绕所述芯的表面的至少一部分的第一层，所述第一层包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括II‑V族化合物；和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包括第三半导体纳米晶体，所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体的组成不同的组成。
半导体纳米晶体量子点第一层聚合物复合物显示装置多层

[发明专利]量子点器件和显示设备-CN201811275891.6在审
发明人： 金星祐;金泰豪;张银珠;徐弘圭;李相陈;丁大荣;O.曹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及量子点器件和显示设备。量子点器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点层，和在所述量子点层与所述第二电极之间的电子辅助层，所述电子辅助层包括第一纳米颗粒和比所述第一纳米颗粒大的第二纳米颗粒，其中所述第一电极的功函大于所述第二电极的功函，和其中所述量子点层的最低未占分子轨道能级与所述电子辅助层的最低未占分子轨道能级之间的差值小于约1.1电子伏。
第二电极量子点器件第一电极电子辅助量子点层纳米颗粒分子轨道能级显示设备功函彼此面对

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