[发明专利]电致发光器件和包括其的显示设备在审
申请号: | 202011201636.4 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN112750966A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 李熙在;韩文奎;金星祐;金泰豪;朴建洙;张银珠;丁大荣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;H01L27/32;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王华芹;金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 器件 包括 显示 设备 | ||
1.电致发光器件,包括:
彼此面对的第一电极和第二电极;以及
设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层;
其中所述发光层包括设置在所述第一电极侧上并且包含第一量子点的第一发光层、以及设置在所述第二电极侧上并且包含第二量子点和n型金属氧化物的第二发光层。
2.如权利要求1所述的电致发光器件,其中
所述第二量子点发射属于预定波长区域的第一种光,和
以基于所述第二发光层的总重量的大于0重量%且小于或等于20重量%的量包括所述n型金属氧化物。
3.如权利要求1所述的电致发光器件,其中所述n型金属氧化物包括如下金属的氧化物:所述金属包括锌(Zn)、镁(Mg)、锡(Sn)、锆(Zr)、钛(Ti)、铝(Al)、或其组合。
4.如权利要求1所述的电致发光器件,其中所述n型金属氧化物分散在所述第二发光层中。
5.如权利要求1所述的电致发光器件,其中所述n型金属氧化物包括附着至其表面的至少一部分的疏水性有机材料。
6.如权利要求1所述的电致发光器件,其中所述n型金属氧化物的平均颗粒直径为1nm-10nm。
7.如权利要求1所述的电致发光器件,其中所述第一发光层进一步包括p型半导体。
8.如权利要求7所述的电致发光器件,其中所述p型半导体包括p型单分子有机半导体、p型氧化物半导体、或其组合。
9.如权利要求7所述的电致发光器件,其中以基于所述第一发光层的总重量的大于0重量%且小于或等于20重量%的量包括所述p型有机材料。
10.如权利要求1所述的电致发光器件,其中所述发光层具有大于0.20且小于0.56的电荷平衡因子,所述电荷平衡因子为空穴传输能力HT对电子传输能力ET的比率HT/ET。
11.如权利要求1所述的电致发光器件,其中所述发光层具有10nm-60nm的厚度。
12.如权利要求1所述的电致发光器件,其中所述第一量子点和所述第二量子点的至少一种包括:包括第一半导体纳米晶体的芯、和包括第二半导体纳米晶体并且设置在所述芯上的壳,所述第二半导体纳米晶体具有与所述第一半导体纳米晶体不同的组成。
13.如权利要求1所述的电致发光器件,其中配体附着至所述第一量子点和所述第二量子点的至少一种,所述配体包括得自金属卤化物化合物的部分、得自基于羧酸的化合物的部分、得自硫醇化合物的部分、或其组合。
14.如权利要求1所述的电致发光器件,其中所述电致发光器件进一步包括或者不进一步包括设置在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输层。
15.如权利要求14所述的电致发光器件,其中所述电致发光器件进一步包括所述空穴传输层,和
所述空穴传输层包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)衍生物、聚(磺苯乙烯)衍生物、聚N-乙烯基咔唑衍生物、聚亚苯基亚乙烯基衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚甲基丙烯酸酯衍生物、多芳基胺衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、聚(9,9-二辛基芴)衍生物、聚(螺-二芴)衍生物、三(4-咔唑-9-基苯基)胺、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺、三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺、聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺、NiO、MoO3、或其组合。
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