[发明专利]存储器编程方法、装置及电子设备

说明书

本发明涉及一种存储器装置，其包括：包括多个存储单元的存储单元阵列；耦合至所述存储单元阵列的控制器，其被配置为：对所述存储单元阵列中的至少一组存储单元施加相同的验证电压，其中，所述一组存储单元至少包括要被编程至第一目标编程级别的第一存储单元和要被编程至高于所述第一目标编程级别的第二目标编程级别的第二存储单元；在经过第一验证时间段之后，获得针对第一存储单元的第一验证结果；以及在经过第二验证时间段之后，获得针对第二存储单元的第二验证结果，其中，所述第二验证时间段包含所述第一验证时间段。

技术领域

本发明涉及存储器，并且具体涉及一种用于非易失性存储器的编程方法、装置、及电子设备。

背景技术

最近，半导体存储器领域受到越来越多的关注。半导体存储器可以是易失性和非易失性的。非易失性半导体存储器(例如NAND闪存)即使在未通电的情况下也能够保持数据，因此已经广泛用于蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备和其它设备中。

目前，对于NAND闪存，普通采用增量步进脉冲编程(ISPP)的方法进行编程，即，依次使用多个逐步增加的脉冲编程电压对存储单元进行编程，每个编程过程可以包括编程操作和后续的验证操作。在编程过程期间，在每次对存储单元执行编程操作后使用验证电压来对这些存储单元进行验证，在下一次编程过程期间限制已通过验证的存储单元，对于未通过验证的存储单元继续使用增加后的脉冲编程电压进行编程并验证，直至通过验证的存储单元的数量达到设定值。

然而，在当前的验证操作中，属于不同编程级别或状态的存储单元需要利用不同的验证电压来顺序进行验证，这增加了编程时间。

因此，需要提供一种用于在非易失性存储器的编程期间以高效方式进行验证的方法和装置，以降低编程时间。

发明内容

提供本发明内容以便介绍一组概念，这组概念将在以下的具体实施方式中做进一步描述。本发明内容并非旨在标识所保护主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所保护主题的范围。

本发明的目的在于提供一种用于存储器的编程方法和装置，用于降低编程所需的时间，尤其是降低编程期间的验证操作所花费的时间。

按照本发明实施例的一种存储器装置，包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元；耦合至所述存储单元阵列的控制器，其被配置为：对所述存储单元阵列中的至少一组存储单元施加相同的验证电压，其中，所述一组存储单元至少包括要被编程至第一目标编程级别的第一存储单元和要被编程至高于所述第一目标编程级别的第二目标编程级别的第二存储单元；在经过第一验证时间段之后，获得针对第一存储单元的第一验证结果；以及在经过第二验证时间段之后，获得针对第二存储单元的第二验证结果，其中，所述第二验证时间段包含所述第一验证时间段。

按照本发明实施例的一种用于存储器装置的编程方法，所述存储器装置包括具有多个存储单元的存储单元阵列，所述方法包括：对所述存储单元阵列中的至少一组存储单元施加相同的验证电压，其中，所述一组存储单元至少包括要被编程至第一目标编程级别的第一存储单元和要被编程至高于所述第一目标编程级别的第二目标编程级别的第二存储单元；在经过第一验证时间段之后，获得针对第一存储单元的第一验证结果；以及在经过第二验证时间段之后，获得针对第二存储单元的第二验证结果，其中，所述第二验证时间段包含所述第一验证时间段。

按照本发明实施例的一种电子设备，包括：存储器装置，用于存储可执行指令；处理器，耦合至所述存储器装置，用于在执行所述可执行指令时控制所述存储器装置执行本文所述的方法。

应当注意，以上一个或多个方面包括以下详细描述以及在权利要求中具体指出的特征。下面的说明书及附图详细阐述了所述一个或多个方面的某些说明性特征。这些特征仅仅指示可以实施各个方面的原理的多种方式，并且本公开内容旨在包括所有这些方面和其等同变换。

附图说明