[发明专利]存储器编程方法、装置及电子设备有效
申请号: | 202011176789.8 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112270946B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 张超;吴真用;李海波 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/10 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 张文锦;刘茹 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 编程 方法 装置 电子设备 | ||
1.一种存储器装置,包括:
存储单元阵列,其包括多个存储单元;
耦合至所述存储单元阵列的控制器,其被配置为:
对所述存储单元阵列中的至少一组存储单元施加相同的验证电压,其中,所述一组存储单元至少包括要被编程至第一目标编程级别的第一存储单元和要被编程至高于所述第一目标编程级别的第二目标编程级别的第二存储单元;
在经过第一验证时间段之后,获得针对第一存储单元的第一验证结果;以及
在经过第二验证时间段之后,获得针对第二存储单元的第二验证结果,其中,所述第二验证时间段包含所述第一验证时间段;
感测电路,其被配置为:
对与所述第一存储单元相对应的第一感测节点施加初始预定电压;
对所述第一感测节点进行放电;以及
在放电经过所述第一验证时间段之后,暂停对所述第一感测节点的放电并基于在所述第一感测节点处获得的第一感测电压与第一预定电压的比较来获得所述第一验证结果,其中,如果所述第一感测电压大于或等于所述第一预定电压,则所述第一验证结果为通过,如果所述第一感测电压小于所述第一预定电压,则所述第一验证结果为未通过;
对与所述第二存储单元相对应的第二感测节点施加所述初始预定电压;
在开始对所述第一感测节点进行放电时,对所述第二感测节点进行放电;以及
在放电经过所述第二验证时间段之后,暂停对所述第二感测节点的放电并基于所述第二感测节点处获得的第二感测电压与第二预定电压的比较来获得所述第二验证结果,其中,如果所述第二感测电压大于或等于所述第二预定电压,则所述第二验证结果为通过,如果所述第二感测电压小于所述第二预定电压,则所述第二验证结果为未通过。
2.如权利要求1所述的存储器装置,其中,所述控制器还被配置为:
在经过所述第一验证时间段之后,暂停对所述第一存储单元施加所述验证电压,并将获得的针对第一存储单元的所述第一验证结果存储在用于存储数据的第一部件中。
3.如权利要求2所述的存储器装置,其中,所述控制器还被配置为:
在经过所述第二验证时间段之后,暂停对所述第二存储单元施加所述验证电压,并将所述第二验证结果存储在用于存储数据的第二部件中。
4.如权利要求3所述的存储器装置,其中,所述第一部件和所述第二部件为不同的用于存储数据的部件,以及其中,所述第一部件或所述第二部件包括以下中的任意一项:锁存器、暂存器、存储表、存储表中的单元。
5.如权利要求1所述的存储器装置,其中,所述第一目标编程级别和所述第二目标编程级别是相邻或不相邻的级别。
6.如权利要求1所述的存储器装置,其中,所述一组存储单元还包括要被编程至第三目标编程级别的第三存储单元,所述第三目标编程级别不同于所述第一目标编程级别和所述第二目标编程级别,其中,所述控制器还被配置为:
在经过第三验证时间段之后,获得针对所述第三存储单元的第三验证结果,其中,所述第三验证时间段包含所述第一验证时间段和所述第二验证时间段。
7.如权利要求6所述的存储器装置,其中,所述第三验证结果被存储在用于存储数据的第三部件中,所述第三部件包括以下中的任意一项:锁存器、暂存器、存储表、存储表中的单元。
8.如权利要求6所述的存储器装置,其中,所述第一目标编程级别、所述第二目标编程级别、所述第三目标编程级别是依次相邻的级别,或者,所述第一目标编程级别、所述第二目标编程级别与所述第三目标编程级别是不相邻的级别。
9.如权利要求1所述的存储器装置,其中,所述存储器装置是3D NAND存储器。
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