[发明专利]一种单晶硅传感器芯片的加工方法

说明书

本发明公开了一种单晶硅传感器芯片的加工方法，该单晶硅传感器芯片的加工方法包括以下步骤：晶圆处理工序，取适量的研磨粒，并且勾兑一定的水分，形成研磨液，利用研磨液对晶圆进行双面研磨之后，清洗并氧化晶圆的表面，除去晶圆表面的研磨残留物，使得晶圆的表面进行钝化，降低晶圆表面的活性；取框架单元，该框架单元具有带、环状的框架以及该被加工物；根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果；本发明单晶硅传感器芯片的加工方法，采用湿法腐蚀对晶片表面进行处理，其是通过化学蚀刻液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的刻蚀方法，选择性高、均匀性好、对晶片损伤少，具有优异的使用前景。

技术领域

本发明涉及单晶硅传感器芯片领域，具体为一种单晶硅传感器芯片的加工方法。

背景技术

单晶硅通常指的是硅原子的一种排列形式形成的物质。

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、砷化镓和硫化镉都是半导体材料，半导体材料的电阻率随着温度升高和辐射强度的增大而减小，在半导体中加入微量的杂质，对其导电性有决定性影响，这是半导体材料的重要特性。硅是最常见应用最广的半导体材料，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成晶核，其晶核长成晶面取向相同的晶粒，形成单晶硅。

单晶硅作为一种比较活泼的非金属元素晶体，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。单晶硅材料制造要经过如下过程：石英砂-冶金级硅-提纯和精炼-沉积多晶硅锭-单晶硅-硅片切割。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等；

而如何提高单晶硅传感器芯片的加工品质，因此迫切的需要一种单晶硅传感器芯片的加工方法。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供如下技术方案：一种单晶硅传感器芯片的加工方法，该单晶硅传感器芯片的加工方法包括以下步骤：

步骤一、晶圆处理工序，取适量的研磨粒，并且勾兑一定的水分，形成研磨液，利用研磨液对晶圆进行双面研磨之后，清洗并氧化晶圆的表面，除去晶圆表面的研磨残留物，使得晶圆的表面进行钝化，降低晶圆表面的活性；

步骤二、取框架单元，该框架单元具有带、环状的框架以及该被加工物；

步骤三、根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果，第一测试结果包括用于指示不符合第一参数规范的晶粒位置的第一打点信息；

步骤四、在框架单元的表面形成保护膜之后，沿着该分割预定线对该被加工物照射激光束，从而沿着该分割预定线将该被加工物切断；

步骤五、在该晶圆的背面主表面中切割基准槽，在该背面主表面中切割背槽，该背槽相对该基准槽定位，确定所需的第一芯片边缘相对该基准槽的位置，在第一路径中施加辐射能量，从而沿该第一路径在该晶圆中形成第一系列改造区域；

步骤六、生成硅晶圆氧化膜，在氧化膜上的进行2次分层加工在氧化膜上进行2次常规双面光刻腐蚀，结构2次不同的正胶图形转印而成，对硅和氧化膜层各进行2次湿法腐蚀；

步骤七、对进行湿法腐蚀的晶片进行干燥40-60h；

步骤八、制得单晶硅传感器芯片，并将其封装，入库。

优选的，带被粘贴在该被加工物的正面和背面中的一方上，具有延伸性。

优选的，环状的框架开设有开口。

优选的，所述晶圆的晶体结构在该第一系列改造区域中被改变。

优选的，步骤七中使用干燥箱对晶片进行干燥处理。

优选的，所述单晶硅传感器芯片通过二氧化硅钝化层与氮化硅绝缘层的配合作用制备而成。