[发明专利]碳化硅电池

说明书

本发明提供一种碳化硅电池，涉及太阳能光伏技术领域。碳化硅电池包括：硅基底，硅基底的向光面上的碳化硅吸收层；硅基底具有多个第一导电孔，第一导电电极形成于第一导电孔内，第一导电电极用于传输碳化硅吸收层产生的第一类载流子；硅基底为本征或轻掺杂的硅；碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料。碳化硅吸收层位于硅基底的向光面，碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料，简化了碳化硅电池的生产工艺，具备较高的生产效率，使得碳化硅电池量产变得容易。硅基底上的第一导电孔，以及位于第一导电孔内的第一导电电极传输碳化硅吸收层产生的第一类载流子，可以降低串联电阻。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种碳化硅电池。

背景技术

碳化硅材料具备较为理想的中间带材料特性，是较为合适的中间带吸收层材料。

但是，碳化硅晶片生长、切片成本较高，且成品后难以实施掺杂等后续加工工艺，导致碳化硅电池量产困难。

发明内容

本发明提供一种碳化硅电池，旨在解决碳化硅电池量产困难的问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种碳化硅电池，所述碳化硅电池包括：硅基底，所述硅基底的向光面上的碳化硅吸收层；

所述硅基底具有多个第一导电孔，第一导电电极形成于所述第一导电孔内，所述第一导电电极用于传输碳化硅吸收层产生的第一类载流子；所述硅基底为本征或轻掺杂的硅；

所述碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料。

本申请中，碳化硅吸收层位于硅基底的向光面，碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料，也就是在低成本的硅基底的向光面上制作碳化硅吸收层，相对于现有技术中生长碳化硅晶棒再切割加工而言，简化了碳化硅电池的生产工艺，具备较高的生产效率，使得碳化硅电池量产变得容易。同时，硅基底为本征或轻掺杂的硅，硅基底不选择传输载流子，硅基底上的第一导电孔，以及位于第一导电孔内的第一导电电极传输碳化硅吸收层产生的第一类载流子，可以降低串联电阻。

根据本发明的第二方面，提供了另一种碳化硅电池，所述碳化硅电池包括：硅基底，所述硅基底的向光面上的碳化硅吸收层；

所述硅基底具有多个第一导电孔，第一导电电极形成于所述第一导电孔内，所述第一导电电极用于传输碳化硅吸收层产生的第一类载流子；所述硅基底用于选择传输第二类载流子；

所述碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料。

本申请中，碳化硅吸收层位于硅基底的向光面，碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料，也就是在低成本的硅基底的向光面上制作碳化硅吸收层，相对于现有技术中生长碳化硅晶棒再切割加工而言，简化了碳化硅电池的生产工艺，具备较高的生产效率，使得碳化硅电池量产变得容易。同时，硅基底上的第一导电孔，以及位于第一导电孔内的第一导电电极传输碳化硅吸收层产生的第一类载流子，可以降低串联电阻。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本发明实施例中的第一种碳化硅电池的结构示意图；

图2示出了本发明实施例中的第二种碳化硅电池的结构示意图；

图3示出了本发明实施例中的第三种碳化硅电池的结构示意图；

图4示出了本发明实施例中的第四种碳化硅电池的结构示意图。

附图编号说明：