[发明专利]一种降低封装芯片IO接口损伤的方法

说明书

本发明公开一种降低封装芯片IO接口损伤的方法，制作芯片封装体，依次对所述芯片封装体正对芯片IO接口的位置进行激光开孔和干蚀刻处理，使所述芯片IO接口外露，然后将所述芯片IO接口电性引出。本发明对芯片封装体正对芯片IO接口的位置先采用激光开孔处理，再对残留的覆盖芯片IO接口的材料进行干蚀刻处理，使芯片IO接口外露，不但提高了封装芯片的生产效率，同时有效降低了芯片IO接口损伤，提高了封装芯片的良率。

技术领域

本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种降低封装芯片IO接口损伤的方法。

背景技术

现有芯片封装结构的制备方法，主要包括以下步骤：制作芯片封装体；提供介电层，将所述介电层贴附于所述芯片封装体的正面；对介电层进行激光开孔处理，形成使所述芯片封装体的芯片IO接口外露的窗口，再制作种子层和重布线层，实现芯片IO接口与重布线层的电气连接。其中，对介电层进行激光开孔处理时，开孔效率高，但是难易精确控制激光开孔时间，容易损伤芯片IO接口，从而降低封装芯片的良率。

其中，对于介电层的激光开孔处理，也可以采用干蚀刻来代替，通过干蚀刻形成使芯片IO接口的外露的孔位，但是干蚀刻在实际操作过程中存在蚀刻时间长的缺陷，严重影响封装芯片的生产效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种降低芯片IO接口损伤的方法，同时能提高使芯片IO接口外露的孔位的制作效率。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

提供一种降低封装芯片IO接口损伤的方法，制作芯片封装体，依次对所述芯片封装体正对芯片IO接口的位置进行激光开孔和干蚀刻处理，使所述芯片IO接口外露，然后将所述芯片IO接口电性引出。

本发明首先对芯片封装体正对芯片IO接口的位置进行一定程度的激光开孔处理，可以加快开孔效率，然后对残留的覆盖芯片IO接口的材料进行干蚀刻处理，使芯片IO接口外露，有效降低了芯片IO接口损伤。

现有技术中仅仅使用激光或者蚀刻进行开孔处理，使芯片IO接口外露，并未出现将两者相结合进行开孔的研究报道，本发明将激光和蚀刻组合用于开孔，不但提高了封装芯片的生产效率，同时有效降低了芯片IO接口损伤，提高了封装芯片的良率。

进一步地，本发明提供了三种降低封装芯片IO接口损伤的方法，具体如下：

第一种，本发明中的降低封装芯片IO接口损伤的方法包括以下步骤：

S10a、提供芯片和载板，将芯片正面朝向所述载板并贴于所述载板上，然后进行塑封；

S10b、拆键合，然后在键合面贴覆介电层，制得芯片封装体；

S10c、对所述芯片封装体的所述芯片IO接口进行定位处理，然后对所述介电层正对芯片IO接口的位置进行激光开孔，残留覆盖所述芯片IO接口的部分介电层，然后对残留的所述介电层进行干蚀刻处理，使所述芯片IO接口外露；

S10d、将所述芯片IO接口电性引出。

第二种，本发明中的降低封装芯片IO接口损伤的方法包括以下步骤：

S20a、提供芯片和载板，将芯片背面朝向所述载板并贴于所述载板上，然后进行塑封，形成包覆所述芯片的塑封层；

S20b、对所述塑封层进行研磨减薄处理，然后贴覆介电层，制得芯片封装体；

S20c、对所述芯片封装体的所述芯片IO接口进行定位处理，然后对所述介电层正对芯片IO接口的位置进行激光开孔，残留覆盖所述芯片IO接口的部分介电层，然后对残留的所述介电层进行干蚀刻处理，使所述芯片IO接口外露；

S20d、将所述芯片IO接口电性引出。