[发明专利]OLED的薄膜封装方法、封装层及OLED器件

权利要求书

1.一种OLED的薄膜封装方法，其特征在于，包括：

在待封装的OLED材料层上采用无模板法制备具有预定厚度的第一无机膜层，其中，所述待封装的OLED材料层包括发光材料基板以及设置在所述发光材料基板上的PS柱，所述预定厚度是以所述发光材料基板为基础确定的厚度；

对所述第一无机膜层进行预定处理，以在除所述PS柱对应位置之外的其它区域形成具有第一厚度的第一无机膜层，在所述PS柱对应位置形成具有第二厚度的第一无机膜层，其中，所述第二厚度大于所述第一厚度，所述第二厚度小于所述预定厚度，所述第一厚度是以所述发光材料基板为基础确定的厚度，所述第二厚度是以所述PS柱为基础确定的厚度；

在处理后的第一无机膜层上制备有机膜层；

在所述有机膜层上制备第二无机膜层，以完成OLED的封装。

2.如权利要求1所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，所述预定处理为干法刻蚀。

3.如权利要求2所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，所述干法刻蚀至少包括以下之一：反应离子刻蚀，电子回旋共振等离子体刻蚀，电感耦合等离子体刻蚀。

4.如权利要求2所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，对所述第一无机膜层进行预定处理，以在除所述PS柱对应位置之外的其它区域形成具有第一厚度的第一无机膜层，在所述PS柱对应位置形成具有第二厚度的第一无机膜层，包括：

在具有所述预定厚度的第一无机膜层上涂覆光刻胶，按照预定图案对涂覆有光刻胶的第一无机膜层进行曝光处理，以得到显影后的第一无机膜层；

对显影后的第一无机膜层按照所述第一厚度对应的操作要求进行刻蚀处理，以得到部分具有所述第一厚度的第一无机膜层；

去除第一无机膜层上的光刻胶，以得到部分具有所述第二厚度的第一无机膜层。

5.如权利要求1至4中任一项所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，在待封装的OLED材料层上采用无模板法制备具有预定厚度的第一无机膜层，包括：

在待封装的OLED材料层上采用无模板方式沉积无机材料，以得到具有所述预定厚度的第一无机膜层。

6.如权利要求5所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，在处理后的第一无机膜层上制备有机膜层，包括：

通过超声雾化工艺或者喷墨打印工艺在处理后的第一无机膜层上制备具有第三厚度的所述有机膜层。

7.如权利要求6所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，所述第三厚度为10um。

8.如权利要求6所述的OLED的薄膜封装方法，其特征在于，在所述有机膜层上制备第二无机膜层，以完成OLED的封装，包括：

在所述有机膜层上沉积无机材料，以得到具有所述第三厚度的第二 无机膜层。

9.一种OLED的封装层，应用权利要求1至8中任一项所述的OLED的薄膜封装方法制备，其特征在于，包括：

设置在待封装的OLED材料层上的第一无机膜层、设置在所述第一无机膜层上的有机膜层、设置在所述有机膜层上的第二无机膜层，其中，所述待封装的OLED材料层包括发光材料基板以及设置在所述发光材料基板上的PS柱；

设置在所述发光材料基板上的部分第一无机膜层具有第一厚度，设置在所述PS柱上的部分第一无机膜层具有第二厚度。

10.一种OLED器件，其特征在于，至少包括：权利要求9所述的OLED的封装层。