[发明专利]栅格

说明书

本发明实施例提供一种栅格，包括：承载主体；至少一个支撑柱，所述支撑柱位于所述承载主体上；所述支撑柱具有用于支撑样品的顶面；所述支撑柱内具有至少一个凹槽，所述凹槽自所述顶面指向所述承载主体方向延伸，且所述凹槽的槽壁与所述顶面连接。本发明实施例能够避免样品被二次离子污染，提高样品质量，进而提高后续透射电子显微镜的成像效果。

技术领域

本发明实施例涉及物理实验领域，特别涉及一种栅格。

背景技术

在物理实验领域越来越多地使用透镜电子显微镜对材料结构进行观察。在观察之前，需要从待观察的材料上提取样品，并对样品进行处理。

目前，通常使用聚焦离子束(FIB，Focused Ion beam)进行样品处理。FIB是将离子源(例如Ga、He或Ne离子源)产生的离子束经过离子枪加速，聚焦后作用于样品。利用强电流离子束能够对样品表面原子进行剥离，以完成微、纳米级表面形貌加工。另外，FIB还能以物理溅射的方式搭配化学气体反应，从而对样品进行有选择性的剥除金属、氧化硅层或沉积金属层。

在样品处理过程中，需要利用栅格承载样品。常用的栅格为铜网碳膜支撑网和金属(铜/钼等)柱状栅格两种。

然而，利用目前的栅格承载样品，后续透射电子显微镜的成像效果不佳。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题为提供一种栅格，解决透射电子显微镜的成像效果不佳的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种栅格，包括：承载主体；至少一个支撑柱，所述支撑柱位于所述承载主体上；所述支撑柱具有用于支撑样品的顶面；所述支撑柱内具有至少一个凹槽，所述凹槽自所述顶面指向所述承载主体方向延伸，且所述凹槽的槽壁与所述顶面连接。

另外，所述顶面至少位于所述凹槽的两侧。

另外，所述顶面环绕所述凹槽。

另外，所述凹槽的顶部开口大于或等于所述凹槽的底部开口。

另外，在垂直于所述支撑柱的延伸方向上，所述凹槽的顶部开口的宽度为1um-20um。

另外，在自所述顶面指向所述承载主体方向，所述凹槽的深度为10um-100um。

另外，位于不同所述支撑柱上的所述凹槽具有不同的容积。

另外，位于不同所述支撑柱上的所述凹槽在垂直于所述支撑柱的延伸方向上的宽度不同。

另外，位于不同所述支撑柱上的所述凹槽在自所述顶面指向所述承载主体方向上的深度不同。

另外，每一所述支撑柱具有多个间隔排列的所述凹槽，且相邻所述凹槽之间的距离为5um-10um。

另外，每一所述支撑柱上具有一个凹槽，且所述凹槽的中心轴线与所述支撑柱的中心轴线重合。

另外，所述支撑柱的顶面包括平面或弧面。

另外，所述支撑柱的顶面包括多个第一顶面，且多个所述第一顶面构成阶梯面；所述凹槽包括：多个第一凹槽，每一所述第一凹槽与每一所述第一顶面相对应，且每一所述凹槽的槽壁与对应所述第一顶面连接。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：

支撑柱具有用于支撑样品的顶面，所述支撑柱内具有至少一个凹槽。相比于支撑柱的侧壁，在支撑柱顶面放置样品，样品的稳定性更好，且凹槽能起到导流的作用，减小二次离子对样品的污染，提高后续透射电子显微镜的成像效果。

另外，位于不同支撑柱上的凹槽具有不同的容积。如此，栅格可以承载不同尺寸的样品，提高栅格的利用率。