[发明专利]一种高疏水性超薄晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 202011119886.3 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112259444A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;文锺;符德荣 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/04 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 超薄 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高疏水性超薄晶圆清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将超薄晶圆采用重直式固定于治具内，将治具置入清洗槽中定位，腔体上盖密封；
S2：使用去离子水在清洗槽中溢流；
S3：使用高环度臭氧作用于晶圆表面，移除不纯物有机物及金属污染；
S4：晶圆表面形成氧化层，使疏水性超薄晶圆表面转为亲水性超薄晶圆表面；
S5：缓慢排出清洗槽内去离子水；
S6：密封水槽上盖，利用抽气泵快速抽出水槽内气体形成真空状态，超薄晶圆表面水滴干燥气化形成疏水性表面；
S7：将清洗干燥后的超薄晶圆连同治具提出清洗槽。
2.根据权利要求1所述的一种高疏水性超薄晶圆清洗方法，其特征在于：去离子水以及臭氧均匀缓慢注入密闭腔体中，避免产生扰流而造成超薄晶圆的剧烈振动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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