[发明专利]MOS电晶体静电保护电路与电子装置

权利要求书

1.一种MOS电晶体静电保护电路，其特征在于，包括：

MOS电晶体；

控制单元，与所述MOS电晶体有线连接或者无线连接，用于延长流过所述MOS电晶体的预定电荷量的时间，以使得单位时间内流过所述MOS电晶体的电荷量减小，以使得加载在所述MOS电晶体上的电压的最大值小于所述MOS电晶体的击穿电压；

所述控制单元包括：

第一电阻电容单元，包括第一电阻模块和第一电容模块，所述第一电阻模块与所述第一电容模块电连接；

第二电阻电容单元，包括第二电阻模块和第二电容模块，所述第二电阻模块与所述第二电容模块电连接；

逻辑门单元，分别与所述第一电阻电容单元和所述第二电阻电容单元电连接，所述逻辑门单元用于控制是否将所述第一电阻电容单元和所述第二电阻电容单元接入所述控制单元中；

所述逻辑门单元包括：

第一逻辑门模块，具有输入端和输出端，所述第一逻辑门模块的输入端与所述第一电阻模块电连接，所述第一逻辑门模块的输出端与所述MOS电晶体电连接，所述第一逻辑门模块用于将所述第一电阻模块的第二端的输出信号的相位反转180°；

第二逻辑门模块，具有输入端和输出端，所述第二逻辑门模块的输入端与所述第二电阻模块的电连接，所述第二逻辑门模块的输出端与所述MOS电晶体的栅极电连接，所述第二逻辑门模块用于控制是否将所述第二电阻电容单元接入所述控制单元中；

所述第一逻辑门模块为一个第一反相器，所述第二逻辑门模块为一个第一与非门，所述第一与非门具有第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一与非门的第一输入端与所述第二电阻模块的第二端电连接，所述第一与非门的第二输入端输入使能信号，所述第一与非门的输出端与所述MOS电晶体的栅极电连接，所述使能信号为脉冲信号；

所述第一逻辑门模块包括第二反相器和第一缓冲器，所述第二反相器与所述第一缓冲器串联，所述第二逻辑门模块包括第二与非门与第二缓冲器，所述第二与非门与第二缓冲器串联。

2.根据权利要求1所述的MOS电晶体静电保护电路，其特征在于，在所述第一电阻模块的第二端与所述第二电阻模块的第二端连接的情况下，所述第二电阻模块的阻值大于所述第一电阻模块的阻值。

3.根据权利要求1所述的MOS电晶体静电保护电路，其特征在于，所述第一电阻模块包括一个或多个第一电阻，所述第二电阻模块包括一个或多个第二电阻，所述第一电容模块包括一个或多个第一电容，所述第二电容模块包括一个或多个第二电容。

4.根据权利要求2所述的MOS电晶体静电保护电路，其特征在于，多个所述第一电阻串联或者并联连接，多个所述第二电阻串联或者并联连接，多个所述第一电容串联或者并联连接，多个所述第二电容串联或者并联连接。

5.一种电子装置，其特征在于，包括MOS电晶体静电保护电路和脉冲信号发生器，所述脉冲信号发生器与所述MOS电晶体静电保护电路电连接，所述MOS电晶体静电保护电路为权利要求1至4中任一项所述的MOS电晶体静电保护电路。