[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法在审
申请号: | 202011098315.6 | 申请日: | 2020-10-14 |
公开(公告)号: | CN112670321A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 崔俊呼;柳春基;金旼昶;金泰翼 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法,所述显示装置包括:下部基底,包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域;显示层,包括位于所述第二区域处的多个显示元件,并且具有与所述第一区域相对应的第一孔;以及上部基底,覆盖所述显示层。所述上部基底包括面对所述下部基底的下表面,并且所述上部基底的所述下表面具有与所述第一区域相对应的第一凹槽。
本申请要求于2019年10月15日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0127862号韩国专利申请的优先权和权益,上述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一个或多个示例实施例的各方面涉及显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
显示装置的使用已经变得更加多样化。此外,随着显示装置的厚度和重量已经减小,显示装置的使用范围已经逐渐扩大。
用于输出图像的显示区域所占据的面积已经增加,并且已经逐渐开发了可以与显示装置结合或关联的各种功能。
在本背景技术部分中公开的以上信息用于增强对本公开的背景的理解,并且因此,以上信息可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开的一个或多个示例实施例可以涉及一种显示装置,所述显示装置包括其中在显示区域内部(例如,在显示区域内)布置有诸如以相机和/或传感器等为例的组件的区域,并且该区域可以具有与组件的布置位置相对应的相对高的透光率以用于组件的平稳的操作(例如,意图的操作、期望的操作、增强的操作或改善的操作)。
根据本公开的一个或多个示例实施例,一种显示装置包括:下部基底,包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域;显示层,包括位于所述第二区域处的多个显示元件,并且具有与所述第一区域相对应的第一孔;以及上部基底,覆盖所述显示层。所述上部基底包括面对所述下部基底的下表面,并且所述上部基底的所述下表面具有与所述第一区域相对应的第一凹槽。
在示例实施例中,在所述下部基底和所述上部基底之间、在所述第一区域处可以由所述第一孔和所述第一凹槽限定空间,并且所述空间可以具有大约10μm至大约50μm的高度。
在示例实施例中,在所述第一凹槽的一端处的锥角可以为大约5°至大约60°。
在示例实施例中,所述第一凹槽的深度可以为大约5μm至大约45μm。
在示例实施例中,所述多个显示元件可以包括可以彼此相邻的第一显示元件和第二显示元件,并且所述第一显示元件和所述第二显示元件可以相对于所述第一孔彼此间隔开。
在示例实施例中,所述多个显示元件中的每一个可以包括像素电极、相对电极以及在所述像素电极和所述相对电极之间的中间层,并且所述相对电极可以被一体地提供为单个主体并且可以具有与所述第一区域相对应的孔。
在示例实施例中,所述显示装置还可以包括:输入感测层,位于所述上部基底上,并且所述输入感测层具有与所述第一区域相对应的第二孔。
在示例实施例中,所述下部基底可以包括面对所述上部基底的上表面,并且所述下部基底的所述上表面可以具有与所述第一区域相对应的第二凹槽。
在示例实施例中,在形成所述显示层之前,可以通过蚀刻工艺形成所述第二凹槽。
在示例实施例中,在所述下部基底和所述上部基底之间、在所述第一区域处可以由所述第一凹槽、所述第一孔和所述第二凹槽限定空间,并且所述空间可以具有大约10μm至大约50μm的高度。
在示例实施例中,所述下部基底和所述上部基底中的每一个可以包括玻璃材料,所述玻璃材料包含氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的