[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法在审
申请号: | 202011098315.6 | 申请日: | 2020-10-14 |
公开(公告)号: | CN112670321A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 崔俊呼;柳春基;金旼昶;金泰翼 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
下部基底,包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域;
显示层,包括位于所述第二区域处的多个显示元件,并且所述显示层具有与所述第一区域相对应的第一孔;以及
上部基底,覆盖所述显示层,
其中,所述上部基底包括面对所述下部基底的下表面,并且所述上部基底的所述下表面具有与所述第一区域相对应的第一凹槽。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
在所述下部基底和所述上部基底之间、在所述第一区域处由所述第一孔和所述第一凹槽限定空间,并且所述空间具有10μm至50μm的高度。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
在所述第一凹槽的一端处的锥角为5°至60°。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一凹槽的深度为5μm至45μm。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述多个显示元件包括彼此相邻的第一显示元件和第二显示元件,并且所述第一显示元件和所述第二显示元件相对于所述第一孔彼此间隔开。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述多个显示元件中的每一个包括像素电极、相对电极以及在所述像素电极和所述相对电极之间的中间层,并且所述相对电极被一体地提供为单个主体并且具有与所述第一区域相对应的孔。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:输入感测层,位于所述上部基底上,并且所述输入感测层具有与所述第一区域相对应的第二孔。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述下部基底包括面对所述上部基底的上表面,并且所述下部基底的所述上表面具有与所述第一区域相对应的第二凹槽。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
在形成所述显示层之前,通过蚀刻工艺形成所述第二凹槽。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
在所述下部基底和所述上部基底之间、在所述第一区域处由所述第一凹槽、所述第一孔和所述第二凹槽限定空间,并且所述空间具有10μm至50μm的高度。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述下部基底和所述上部基底中的每一个包括玻璃材料,所述玻璃材料包含氧化硅、氧化镁、氧化钙和氧化锌中的至少一种。
12.一种制造显示装置的方法,所述显示装置包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域,其中,所述方法包括:
在下部基底和上部基底中的至少一个基底处形成与所述第一区域相对应的凹槽;
在所述下部基底上形成显示层,所述显示层包括与所述第二区域相对应的多个显示元件,并且所述显示层具有与所述第一区域相对应的第一孔;
在所述下部基底上布置所述上部基底,所述显示层介于所述下部基底和所述上部基底之间;以及
通过使用密封剂将所述下部基底的上表面接合到所述上部基底的下表面。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述形成所述凹槽包括:
将耐酸膜附着到所述上部基底的所述下表面;
去除与所述第一区域相对应且附着到所述上部基底的所述耐酸膜的一部分;
通过使用蚀刻剂蚀刻附着有所述耐酸膜的所述上部基底;以及
去除附着到所述上部基底的所述耐酸膜的残留部分。
14.根据权利要求12所述的方法,其中,
所述形成所述凹槽包括形成具有5°至60°的锥角的所述凹槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的